ZVP2110

Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET

Comparar	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	ZVP2110A MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 Diodes Incorporated	4,178 En stock 28,000 Fábrica	1 : $0.85000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	230mA (Ta)	10V	8Ohm a 375mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
	ZVP2110GTA MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Diodes Incorporated	1,823 En stock 18,000 Fábrica	1 : $1.02000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.44762 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	310mA (Ta)	10V	8Ohm a 375mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	100 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
	ZVP2110ASTZ MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,000 : $0.38017 Cinta y caja	-	Cinta y caja	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	230mA (Ta)	10V	8Ohm a 375mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3

Demostración

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