Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET
Número de parte del fabricante | Cantidad disponible | Precio | Serie | Paquete | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Vgs(th) (máx) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica de FET | Disipación de potencia (Máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Paquete del dispositivo del proveedor | Paquete / Caja (carcasa) | |
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12,978 En stock 215,000 Fábrica | 1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.18168 Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 60 V | 6 A (Ta) | 4.5V, 10V | 68mOhm a 12A, 10V | 3V a 250µA | 10.3 nC @ 10 V | ±20V | 502 pF @ 30 V | - | 2.12W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Montaje en superficie | TO-252-3 | TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63 | ||
20,858 En stock | 1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.18429 Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 60 V | 4.1 A (Ta) | 4.5V, 10V | 68mOhm a 12A, 10V | 3V a 250µA | 10.3 nC @ 10 V | ±20V | 502 pF @ 30 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Montaje en superficie | SOT-223-3 | TO-261-4, TO-261AA | ||
755 En stock 800,000 Fábrica | 1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.21424 Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 60 V | 4.1 A (Ta) | 4.5V, 10V | 68mOhm a 12A, 10V | 3V a 250µA | 10.3 nC @ 10 V | ±20V | 502 pF @ 30 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Uso automotriz | AEC-Q101 | Montaje en superficie | SOT-223-3 | TO-261-4, TO-261AA | ||
0 En stock Consultar el plazo de entrega | 2,500 : $0.21935 Cinta y rollo (TR) | - | Cinta y rollo (TR) | Activo | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 60 V | 8.5 A (Ta) | 4.5V, 10V | 68mOhm a 8.5A, 10V | 3V a 250µA | 10.3 nC @ 10 V | ±20V | 502 pF @ 30 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Uso automotriz | AEC-Q101 | Montaje en superficie | - | - |