Emisores de infrarrojos y fotodiodo PIN de silicio

Emisores infrarrojos de 850 nm y 940 nm y de alta velocidad, y fotodiodo de PIN de silicio de alta velocidad y compatible con el paquete de Vishay para paneles táctiles infrarrojos.

Imagen de fotodiodos PIN de silicio y emisores de infrarrojo de Vishay Semiconductor/Opto Division Vishay Semiconductor/Opto Division ha ampliado la cartera de optoelectrónica. La compañía presentó dos emisores infrarrojos de 850 nm y 940 nm y de alta velocidad, y un fotodiodo PIN de silicio, de alta velocidad, compatible con el paquete con alta sensibilidad radiante de 780 nm a 1050 nm. VSMG10850, VSMB10940 y VEMD10940F ofrecen un ángulo ultra ancho de +/-75 grados de intensidad media en un paquete compacto de montaje en superficie que mide 3 mm por 2 mm y tiene una altura de sólo 1 mm. Los emisores de IR que se ofrecen en paquetes de plástico transparentes e incoloros ofrecen una intensidad radiante alta de 1 mW/sr típica a 20 mA, hasta 33 % superior en comparación con otros dispositivos disponibles en el mercado, y tiempo de conmutación rápida de 15 ns. VSMB10940 de 940 nm incluye la tecnología de pozo multicuántico GaAIAs y un voltaje directo bajo de 1.3 V típico. El VSMG10850 de 850 nm ofrece la tecnología hetero doble GaAIAs y un voltaje directo de 1.4 V. El fotodiodo VEMD10940F cuenta con un filtro de bloqueo de luz de día compatible con emisores de IR de 830 nm a 950 nm, incluyendo VSMG10850 y VSMB10940. El dispositivo ofrece una corriente de luz inversa de 3 µA, una corriente residual baja de 1 nA, longitud de onda de 920 nm para detección de pico y un coeficiente de temperatura bajo de 0.1-%/K de corriente de luz.

Características del emisor de IR Aplicaciones del emisor de IR
  • Tipo de paquete: montaje en superficie
  • Forma del paquete: vista lateral
  • Dimensiones (Largo x Ancho x Alto en mm): 3 x 2 x 1
  • Alta confiabilidad
  • Alta potencia radiante
  • Alta intensidad radiante
  • Alta velocidad
  • Panel táctil de IR
  • Emisor de alta potencia para aplicaciones de bajo espacio
  • Sensores transmisivos o reflectivos de alta rendimiento
Características de fotodiodo PIN Características de fotodiodo PIN
  • Tipo de paquete: montaje en superficie
  • Forma del paquete: vista lateral
  • Dimensiones (Largo x Ancho x Alto en mm): 3 x 2 x 1
  • Sensibilidad energética alta
  • Filtro de bloqueo de luz de día compatible con emisores de IR de 830 nm a 950 nm
  • Fotodetector de alta velocidad
  • Control remoto por infrarrojos
  • Transmisión de datos por infrarrojos
  • Fotointerruptores
  • Paneles táctiles de IR

Infrared Emitters and Silicon PIN Photodiode

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponibleView Details
VEMD10940F datasheet linkPHOTODIODE SILICON PIN SMDVEMD10940FPHOTODIODE SILICON PIN SMD16285 - Inmediata
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VSMG10850 datasheet linkEMITTER IR 850NM 65MA SMDVSMG10850EMITTER IR 850NM 65MA SMD9792 - Inmediata
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VSMB10940 datasheet linkEMITTER IR 940NM 65MA SMDVSMB10940EMITTER IR 940NM 65MA SMD1440 - Inmediata
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Publicado: 2013-07-23