Carburo de silicio CCS050M12CM2

Módulo de seis paquetes (tres fases) de carburo de silicio CCS050M12CM2, MOSFET Z-FET™ y diodo Z-Rec™ de Cree

El módulo de seis paquetes y de carburo de silicio de Imagen de carburo de silicio CCS050M12CM2 de Cree IncCree se ofrece en un paquete estándar de la industria de 45 mm. Al reemplazar un módulo de silicio con regímenes equivalentes, el módulo de seis paquetes de Cree pueden reducir la pérdida de potencia en un 75%, que produce una reducción inmediata del 70% en el tamaño del disipador térmico o un aumento del 50% en densidad de potencia. El módulo SiC de seis paquetes quita las restricciones del diseño tradicional relacionadas con la densidad de potencia, eficiencia y costo; por lo tanto, el diseñador puede crear sistemas de conversión de energía asequible, confiable y de alto rendimiento. Al compararse con módulos de silicio de vanguardia, los módulos SiC de 1.2 kV y de 50 A ofrecen un rendimiento equivalente con los módulos de silicio con corriente nominal de 150 A.

Características Beneficios
  • Pérdida ultra baja
  • Corriente de recuperación inversa cero
  • Cero corriente de cola de apagado
  • Funcionamiento a alta frecuencia
  • Coeficiente de temperatura positiva en VF y VDS(on)
  • Placa base cu, AlN DBC
  • Permite los sistemas compactos y ligeros
  • Funcionamiento de alta eficiencia
  • Facilidad de control de la puerta del transistor
  • Menos requerimientos de enfriamiento
  • Menor costo del sistema

CCS050M12CM2

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponibleView Details
CRD-001 datasheet linkBOARD EVAL ISOL SIC GATE DRIVERCRD-001BOARD EVAL ISOL SIC GATE DRIVER249 - Inmediata
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CCS050M12CM2 datasheet linkMOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULECCS050M12CM2MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE0Enlace de la página del producto CCS050M12CM2
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Publicado: 2013-07-08