Fotomultiplicador de silicio individual NUV-HD

El SiPM de Broadcom es adecuado para la detección de fuentes de luz pulsada de bajo nivel y aplicaciones de conteo de fotones

El AFBR-S4N44C013 de Imagen del fotomultiplicador de silicio NUV-HD AFBR-S4N44C013 de BroadcomBroadcom es un fotomultiplicador de silicio (SiPM) individual utilizado para la medición rápida y ultrasensible de fotones individuales y fuentes de luz pulsada.

El área activa es de 3.72 mm x 3.72 mm. La alta densidad de empaque de los chips individuales se logra mediante la tecnología de vías que atraviesan el silicio (TSV). Colocar diversos SiPM AFP-S4N44C013 puede permitir cubrir áreas más grandes casi sin pérdidas en los bordes. La capa protectora está hecha de un vidrio altamente transparente hasta longitudes de onda UV, lo que da como resultado una amplia respuesta en el espectro de luz visible con una alta sensibilidad hacia la región azul y casi UV del espectro de luz. Este SiPM es muy adecuado para la detección de fuentes de luz pulsada de bajo nivel, especialmente para Cherenkov o luz de centelleo de materiales plásticos orgánicos muy comunes y materiales de centelleo inorgánicos, lo que incluye LSO, LYSO, BGO, Nal, Csl, BaF y LaBr.

Este producto se utiliza para la medición de precisión ultrasensible de fotones individuales, presenta un PDE alto y es enlosable en los cuatro lados. La alta densidad de empaque de los chips individuales se logra mediante la tecnología de vías que atraviesan el silicio (TSV). Colocar diversas matrices AFP-S4N44C013 puede permitir cubrir áreas más grandes con pérdidas pequeñas a nulas en los bordes.

Características
  • PDE alto de más del 55 % a 420 nm
  • Alto factor de llenado
  • Excelente resolución de tiempo de fotón individual y tiempo de resolución de coincidencia
  • Excelente uniformidad de voltaje de ruptura: 180 mV (3 sigma)
  • Excelente uniformidad de ganancia
  • Tecnología TSV (enlosable en los 4 lados)
  • Tamaño: 3.88 mm x 3.88 mm
  • Paso celular: 30 µm x 30 µm
  • Capa de protección de vidrio altamente transparente
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -20 ºC a +50 ºC
  • Cumple con la directiva RoHS
Aplicaciones
  • Detección de rayos X y rayos gamma
  • Espectroscopia de rayos gamma
  • Prevención y seguridad
  • Medicinas nucleares
  • Tomografía de emisión de positrones
  • Ciencias de la vida
  • Citometría de flujo
  • Fluorescencia: mediciones de luminiscencia
  • Recuento de fotones individuales correlacionados de tiempo
  • Física de alta energía
  • Astrofísica

AFBR-S4N44C013 NUV-HD Silicon Photomultiplier

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipoLongitud de ondaTipo de montajeCantidad disponibleVer detalles
SENSOR OPT 420NM UVAFBR-S4N44C013SENSOR OPT 420NM UVUltravioleta (UV)420 nmMontaje en superficie283 - InmediataVer detalles
Publicado: 2018-10-18