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Fabricante Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) Consumo de corriente (Id) - Máximo Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Resistencia - RDS (activado) Potencia máxima Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Precio unitario
USD
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Cantidad mínima
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) Consumo de corriente (Id) - Máximo Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Resistencia - RDS (activado) Potencia máxima Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201TR-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 12,000 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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0.10080 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Canal N 40 V
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200 µA a 20 V
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300 mV a 10 nA
-
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350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201CT-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 13,659 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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0.47000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Canal N 40 V
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200 µA a 20 V
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300 mV a 10 nA
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350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201DKR-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 13,659 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 40 V
-
200 µA a 20 V
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300 mV a 10 nA
-
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSTR-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27,000 - Inmediata
0.16058 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal P 30 V
-
1.5 mA a 15 V
-
800 mV a 10 nA 11 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSCT-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27,678 - Inmediata
0.47000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal P 30 V
-
1.5 mA a 15 V
-
800 mV a 10 nA 11 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSDKR-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27,678 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal P 30 V
-
1.5 mA a 15 V
-
800 mV a 10 nA 11 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)TR-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 66,000 - Inmediata
0.19840 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 50 V
-
1.2 mA a 10 V
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1.5 V a 100 nA 13 pF a 10 V
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100 mW 125°C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 USM
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)CT-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 71,777 - Inmediata
0.63000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 50 V
-
1.2 mA a 10 V
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1.5 V a 100 nA 13 pF a 10 V
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100 mW 125°C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 USM
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 71,777 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 50 V
-
1.2 mA a 10 V
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1.5 V a 100 nA 13 pF a 10 V
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100 mW 125°C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 USM
2N5457 Datasheet 2N5457 - Central Semiconductor Corp 2N5457-ND JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 3,422 - Inmediata
2.30000 1 Granel?
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Activo Canal N 25 V 25 V 1 mA a 15 V
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500 mV a 10 nA 7 pF a 15 V
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310 mW -65°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-92
2N4393 Datasheet 2N4393 - Central Semiconductor Corp 2N4393CS-ND JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 7,198 - Inmediata
2.83000 1 Granel?
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Activo Canal N 40 V
-
5 mA a 20 V
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500 mV a 1 nA 14 pF a 20 V 100 Ohm 1.8 W -65°C ~ 175°C (TJ) Orificio pasante TO-18-3, TO-206AA, carcasa metálica TO-18
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459TR-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3,000 - Inmediata
135,000 - Stock en fábrica
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0.07440 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 25 V
-
4 mA a 15 V
-
2 V a 10 nA 7 pF a 15 V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459CT-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3,095 - Inmediata
135,000 - Stock en fábrica
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0.41000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 25 V
-
4 mA a 15 V
-
2 V a 10 nA 7 pF a 15 V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459DKR-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3,095 - Inmediata
135,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 25 V
-
4 mA a 15 V
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2 V a 10 nA 7 pF a 15 V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
J113_D74Z Datasheet J113_D74Z - Fairchild/ON Semiconductor J113_D74ZTB-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 20,000 - Inmediata
62,000 - Stock en fábrica
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0.07600 2,000 Cinta y caja?
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Activo Canal N 35 V
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2 mA a 15 V
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500 mV a 1 µA
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100 Ohm 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados) TO-92-3
J113_D74Z Datasheet J113_D74Z - Fairchild/ON Semiconductor J113_D74ZCT-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 20,371 - Inmediata
62,000 - Stock en fábrica
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0.42000 1 Cinta cortada (CT)?
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Activo Canal N 35 V
-
2 mA a 15 V
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500 mV a 1 µA
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100 Ohm 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados) TO-92-3
J111_D26Z Datasheet J111_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J111_D26ZTR-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2,000 - Inmediata
6,000 - Stock en fábrica
?
0.07820 2,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 35 V
-
20 mA a 15 V
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3 V a 1 µA
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30 Ohm 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados) TO-92-3
J111_D26Z Datasheet J111_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J111_D26ZCT-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2,310 - Inmediata
6,000 - Stock en fábrica
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0.43000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 35 V
-
20 mA a 15 V
-
3 V a 1 µA
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30 Ohm 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados) TO-92-3
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-2-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 15,000 - Inmediata
0.08000 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal P 30 V 30 V 1.5 mA a 15 V
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800 mV a 10 nA 8 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 300 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-1-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 18,403 - Inmediata
0.44000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Canal P 30 V 30 V 1.5 mA a 15 V
-
800 mV a 10 nA 8 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 300 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-6-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 18,403 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal P 30 V 30 V 1.5 mA a 15 V
-
800 mV a 10 nA 8 pF a 10 V (VGS) 300 Ohm 300 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57TR-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 6,000 - Inmediata
78,000 - Stock en fábrica
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0.08080 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 40 V
-
20 mA a 15 V
-
2 V a 0.5 nA
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40 Ohm 250 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57CT-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 8,113 - Inmediata
78,000 - Stock en fábrica
?
0.45000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 40 V
-
20 mA a 15 V
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2 V a 0.5 nA
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40 Ohm 250 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57DKR-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 8,113 - Inmediata
78,000 - Stock en fábrica
?
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Canal N 40 V
-
20 mA a 15 V
-
2 V a 0.5 nA
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40 Ohm 250 mW 150°C (TJ) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
J112_D26Z Datasheet J112_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J112_D26ZTR-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2,000 - Inmediata
34,000 - Stock en fábrica
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0.08262 2,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Activo Canal N 35 V
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5 mA a 15 V
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1 V a 1 µA
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50 Ohm 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Orificio pasante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados) TO-92-3
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20:42:38 1/19/2017