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Fabricante Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Configuración Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Potencia máxima Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Corriente de corte del colector (máx.) Capacitancia de entrada (Cies) a Vce Entrada Termistor NTC Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Configuración Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Potencia máxima Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Corriente de corte del colector (máx.) Capacitancia de entrada (Cies) a Vce Entrada Termistor NTC Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 219 - Inmediata
22.76000 1 GenX4™, XPT™ Activo PT Simple 650 V 215 A 750 W 2.1 V a 15 V, 110 A 50 µA 3.65 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 454 - Inmediata
30.70000 1
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Activo NPT Simple 1200 V 100 A 450 W 2.8 V a 15 V, 55 A 3.8 mA 3.3 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 515 - Inmediata
34.02000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 140 A 480 W 2.1 V a 15 V, 100 A 5 mA 7.2 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP SOT-227
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 806 - Inmediata
44.19000 1 POWER MOS 7® Activo PT Simple 1200 V 128 A 543 W 3.9 V a 15 V, 75 A 1.25 mA 7.04 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 136 - Inmediata
57.75000 1
-
Activo
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Medio puente 600 V 114 A 658 W 3.2 V a 15 V, 100 A 400 µA 7.1 nF a 30 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo 12-MTP MTP
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 45 - Inmediata
90.53000 1
-
Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200 V 200 A 625 W 1.7 V a 15 V, 150 A (típico) 1 mA 10.5 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 125°C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
CM400HA-24A Datasheet CM400HA-24A - Powerex Inc. 835-1019-ND IGBT MOD SGL 1200V 400A A SERIES 31 - Inmediata
154.57000 1 IGBTMOD™ Activo
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Simple 1200 V 400 A 2350 W 3 V a 15 V, 400 A 1 mA 70 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
CM600HU-12F Datasheet CM600HU-12F - Powerex Inc. 835-1098-ND IGBT MOD SGL 600V 600A F SER 98 - Inmediata
160.69000 1 IGBTMOD™ Activo Zanja Simple 600 V 600 A 1420 W 2.2 V a 15 V, 600 A 1 mA 160 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
CM600HA-24A Datasheet CM600HA-24A - Powerex Inc. 835-1025-ND IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES 99 - Inmediata
183.12000 1 IGBTMOD™ Activo
-
Simple 1200 V 600 A 3670 W 3 V a 15 V, 600 A 1 mA 105 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 49 - Inmediata
176.18000 1
-
Activo Parada de campo de trinchera Simple 1700 V 1100 A 2900 W 2.4 V a 15 V, 600 A 1 mA 51 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis D4 D4
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 178 - Inmediata
52.00000 1 Thunderbolt IGBT® Activo NPT Simple 1200 V 123 A 570 W 3.7 V a 15 V, 100 A 200 µA 7.85 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
VS-GB90DA60U Datasheet VS-GB90DA60U - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB90DA60UGI-ND TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR 147 - Inmediata
73.64000 1
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Activo NPT Simple 600 V 147 A 625 W 2.8 V a 15 V, 100 A 100 µA
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Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4 SOT-227
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 124 - Inmediata
78.75000 1
-
Activo
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Simple 600 V 400 A 961 W 1.66 V a 15 V, 200 A 1 mA 16.25 nF a 30 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis SOT-227-4 SOT-227
CM225DX-24S1 Datasheet CM225DX-24S1 - Powerex Inc. 835-1150-ND IGBT MOD NX 225A 1200V DUAL 31 - Inmediata
91.73000 1
-
Activo
-
Medio puente 1200 V 225 A 1250 W 2.35 V a 15 V, 225 A 1 mA 20 nF a 10 V Estándar -40°C ~ 150°C (TJ)
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Módulo Módulo
CM100DU-24NFH Datasheet CM100DU-24NFH - Powerex Inc. 835-1004-ND IGBT MOD DUAL 1200V 100A NFH SER 154 - Inmediata
91.89000 1 IGBTMOD™ Activo
-
Medio puente 1200 V 100 A 560 W 6.5 V a 15 V, 100 A 1 mA 16 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 90 - Inmediata
94.24000 1
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Activo
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Medio puente 600 V 300 A 600 W 1.45 V a 15 V, 200 A (típico) 1 mA 13 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo S-3 S3
APTGF75H120TG Datasheet APTGF75H120TG - Microsemi Corporation APTGF75H120TG-ND POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 28 - Inmediata
106.66000
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No para diseños nuevos NPT Inversor de puente completo 1200 V 100 A 500 W 3.7 V a 15 V, 75 A 250 µA 5.1 nF a 25 V Estándar
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Montaje de chasis SP4 SP4
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 56 - Inmediata
117.10000 1
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Activo
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Medio puente 1200 V 210 A 1100 W 1.8 V a 15 V, 150 A (típico) 1 mA 11 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo D3
APTGL475U120D4G Datasheet APTGL475U120D4G - Microsemi Corporation APTGL475U120D4G-ND IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 77 - Inmediata
120.10000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 610 A 2082 W 2.2 V a 15 V, 400 A 4 mA 24.6 nF a 25 V Estándar No -40°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis D4 D4
CM300DY-12NF Datasheet CM300DY-12NF - Powerex Inc. 835-1014-ND IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER 33 - Inmediata
150.00000 1 IGBTMOD™ Activo
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Medio puente 600 V 300 A 780 W 2.2 V a 15 V, 300 A 1 mA 45 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
CM300DY-24S Datasheet CM300DY-24S - Powerex Inc. 835-1129-ND IGBT HALF BRIDGE 1200V 300A MOD 118 - Inmediata
162.26000 1
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Activo
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Medio puente 1200 V 300 A 2270 W 2.25 V a 15 V, 300 A 1 mA 30 nF a 10 V Estándar No -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis Módulo Módulo
MG12450WB-BN2MM Datasheet MG12450WB-BN2MM - Littelfuse Inc. F6488-ND IGBT 1200V 600A 1950W PKG WB 29 - Inmediata
201.35000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Medio puente 1200 V 600 A 1950 W 1.7 V a 15 V, 450 A (típico) 1 mA 32 nF a 25 V Estándar -40°C ~ 125°C (TJ) Montaje de chasis Módulo WB
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 211 - Inmediata
27.96000 1 PowerMESH™ Activo
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Simple 600 V 200 A 600 W 1.6 V a 15 V, 100 A 500 µA 1.56 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Inmediata
32.83000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 1200 V 124 A 379 W 2.1 V a 15 V, 75 A 200 µA 4.8 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 349 - Inmediata
33.84000 1
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Activo Parada de campo de trinchera Simple 600 V 283 A 682 W 1.85 V a 15 V, 200 A 25 µA 14.1 nF a 25 V Estándar No -55°C ~ 175°C (TJ) Montaje de chasis ISOTOP ISOTOP®
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