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Serie Fabricante Tipo FET Característica de FET Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) según Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds Potencia máxima Tipo de montaje Paquete/Encapsulado Paquete de dispositivo de proveedor Empaquetado




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ImagenNúmero de pieza de Digi-KeyNúmero de pieza del fabricanteDescripciónSerieFabricanteTipo FETCaracterística de FETVoltaje drenaje-fuente (Vdss)Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °CRds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °CVgs(th) (máx.) en IdCarga de compuerta (Qg) según VgsCapacitancia de entrada (Ciss) a VdsPotencia máximaTipo de montajePaquete/EncapsuladoPaquete de dispositivo de proveedorEmpaquetadoCantidad disponibleCantidad mínimaPrecio unitarioEspecificaciones técnicas
 Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente  
Photo Not AvailableVS-FB190SA10-NDMOSFET N-CH 100V 190A SOT227-MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar100 V190 A6.5 mOhm a 180 A, 10 V4.35 V a 250µA250 nC a 10 V10700 pF a 25 V568 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227Tubo127 - Inmediata 1 29.99000
FB190SA10
IXFN180N25T - IXYSIXFN180N25T-NDMOSFET N-CH 155A 250V SOT-227GigaMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar250 V164 A12.9 mOhm a 60 A, 10 V5 V a 8 mA345 nC a 10 V28000 pF a 25 V900 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo283 - Inmediata 1 18.70000
IXFN180N25T
IXFN180N15P - IXYSIXFN180N15P-NDMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227BPolarHT™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar150 V150 A11 mOhm a 90 A, 10 V5 V a 4 mA240 nC a 10 V7000 pF a 25 V680 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo349 - Inmediata 1 21.32000
IXFN180N15P
IXFN140N30P - IXYSIXFN140N30P-NDMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BPolar™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar300 V110 A24 mOhm a 70 A, 10 V5 V a 8 mA185 nC a 10 V14800 pF a 25 V700 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo115 - Inmediata 1 23.82000
IXFN140N30P
IXFN520N075T2 - IXYSIXFN520N075T2-NDMOSFET N-CH 75V 480A SOT227TrenchT2™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar75 V480 A1.9 mOhm a 100 A, 10 V5 V a 8 mA545 nC a 10 V41000 pF a 25 V940 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo529 - Inmediata 1 24.20000
IXFN520N075T2
IXTN600N04T2 - IXYSIXTN600N04T2-NDMOSFET N-CH 40V 600A SOT-227TrenchT2™ GigaMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar40 V600 A1.05 mOhm a 100 A, 10 V3.5 V a 250µA590 nC a 10 V40000 pF a 25 V940 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo194 - Inmediata 1 25.06000
IXTN600N04T2
IXFN110N60P3 - IXYSIXFN110N60P3-NDMOSFET N-CH 600V 90A SOT227Polar3™ HiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar600 V90 A56 mOhm a 55 A, 10 V5 V a 8 mA245 nC a 10 V18000 pF a 25 V1500 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo373 - Inmediata 1 25.92000
IXFN110N60P3
IXTN170P10P - IXYSIXTN170P10P-NDMOSFET P-CH 100V 170A SOT227PolarP™MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar100 V170 A12 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 1 mA240 nC a 10 V12600 pF a 25 V890 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo187 - Inmediata 1 26.00000
IXTN170P10P
IXFN200N07 - IXYSIXFN200N07-NDMOSFET N-CH 70V 200A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar70 V200 A6 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 8 mA480 nC a 10 V9000 pF a 25 V520 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo253 - Inmediata 1 26.02000
IXFN200N06/7
IXFN180N10 - IXYSIXFN180N10-NDMOSFET N-CH 100V 180A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar100 V180 A8 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 8 mA360 nC a 10 V9100 pF a 25 V600 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo1,172 - Inmediata 1 27.14000
IXFN180N10
IXFN230N20T - IXYSIXFN230N20T-NDMOSFET N-CH 230A 200V SOT-227GigaMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar200 V220 A7.5 mOhm a 60 A, 10 V5 V a 8 mA378 nC a 10 V28000 pF a 25 V1090 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo137 - Inmediata 1 27.20000
IXFN230N20T
IXFN120N20 - IXYSIXFN120N20-NDMOSFET N-CH 200V 120A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar200 V120 A17 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 8 mA360 nC a 10 V9100 pF a 25 V600 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo173 - Inmediata 1 28.54000
IXFN120N20
IXFN82N60P - IXYSIXFN82N60P-NDMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BPolarHV™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar600 V72 A75 mOhm a 41 A, 10 V5 V a 8 mA240 nC a 10 V23000 pF a 25 V1040 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo1,181 - Inmediata 1 29.04000
IXFN82N60P
IXFN100N50P - IXYSIXFN100N50P-NDMOSFET N-CH 500V 90A SOT-227BPolarHV™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar500 V90 A49 mOhm a 50 A, 10 V5 V a 8 mA240 nC a 10 V20000 pF a 25 V1040 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo852 - Inmediata 1 29.04000
IXFN100N50P
IXFN320N17T2 - IXYSIXFN320N17T2-NDMOSFET N-CH 170V 260A SOT227GigaMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar170 V260 A5.2 mOhm a 60 A, 10 V5 V a 8 mA640 nC a 10 V45000 pF a 25 V1070 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo1,535 - Inmediata 1 37.06000
IXFN320N17T2
IXFN360N15T2 - IXYSIXFN360N15T2-NDMOSFET N-CH 150V 310A SOT227GigaMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar150 V310 A4 mOhm a 60 A, 10 V5 V a 8 mA715 nC a 10 V47500 pF a 25 V1070 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo955 - Inmediata 1 37.06000
IXFN360N15T2
IXTN90N25L2 - IXYSIXTN90N25L2-NDMOSFET N-CH 90A 250V SOT-227Linear L2™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar250 V90 A33 mOhm a 500 mA, 10 V4.5 V a 3 mA640 nC a 10 V23000 pF a 25 V735 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo943 - Inmediata 1 37.40000
IXTN90N25L2
IXTN60N50L2 - IXYSIXTN60N50L2-NDMOSFET N-CH 53A 500V SOT-227Linear L2™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar500 V53 A100 mOhm a 30 A, 10 V4.5 V a 250µA610 nC a 10 V24000 pF a 25 V735 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo782 - Inmediata 1 37.40000
IXTN60N50L2
IXFN340N07 - IXYSIXFN340N07-NDMOSFET N-CH 70V 340A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar70 V340 A4 mOhm a 100 A, 10 V4 V a 8 mA490 nC a 10 V12200 pF a 25 V700 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo379 - Inmediata 1 37.74000
IXFN340N07
IXKN75N60C - IXYSIXKN75N60C-NDMOSFET N-CH 600V 75A SOT-227BCoolMOS™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar600 V75 A36 mOhm a 50 A, 10 V3.9 V a 5 mA500 nC a 10 V--Montaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo101 - Inmediata 1 38.52000
IXKN75N60C
IXFN180N20 - IXYSIXFN180N20-NDMOSFET N-CH 200V 180A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar200 V180 A10 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 8 mA660 nC a 10 V22000 pF a 25 V700 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo113 - Inmediata 1 40.46000
IXFN180N20
IXFN230N10 - IXYSIXFN230N10-NDMOSFET N-CH 100V 230A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar100 V230 A6 mOhm a 500 mA, 10 V4 V a 8 mA570 nC a 10 V19000 pF a 25 V700 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo108 - Inmediata 1 40.53000
IXFN230N10
IXFN80N50 - IXYSIXFN80N50-NDMOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar500 V80 A55 mOhm a 500 mA, 10 V4.5 V a 8 mA380 nC a 10 V9890 pF a 25 V780 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo141 - Inmediata 1 44.59000
IXFN80N50
IXFN44N80 - IXYSIXFN44N80-NDMOSFET N-CH 800V 44A SOT-227BHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar800 V44 A165 mOhm a 500 mA, 10 V4.5 V a 8 mA380 nC a 10 V10000 pF a 25 V700 WMontaje de chasisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227BTubo151 - Inmediata 1 51.88000
IXFN44N80
Photo Not AvailableVMO580-02F-NDMOSFET N-CH 200V 580A MODULEHiPerFET™MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar200 V580 A3.8 mOhm a 430 A, 10 V4 V a 50 mA2750 nC a 10 V--Montaje de chasisY3-LiY3-LiGranel42 - Inmediata 1 132.66000
VMO580-02F
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