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Fabricante Empaquetado Serie Tipo de interruptor No. de salidas Relación - Entrada:Salida Configuración de salidas Tipo de salida Interfaz Voltaje de carga Alimentación de voltaje (Vcc/Vdd) Corriente - Salida (máx.) Rds On (típ.) Tipo de entrada Características Protección contra fallas Temperatura de operación Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Empaquetado Serie Tipo de interruptor No. de salidas Relación - Entrada:Salida Configuración de salidas Tipo de salida Interfaz Voltaje de carga Alimentación de voltaje (Vcc/Vdd) Corriente - Salida (máx.) Rds On (típ.) Tipo de entrada Características Protección contra fallas Temperatura de operación Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
VNN3NV04PTR-E Datasheet VNN3NV04PTR-E - STMicroelectronics 497-13077-2-ND IC MOSFET N-CH 40V 3.5A SOT223 2,000 - Inmediata
0.54900 1,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-261-4, TO-261AA SOT-223
VNN3NV04PTR-E Datasheet VNN3NV04PTR-E - STMicroelectronics 497-13077-1-ND IC MOSFET N-CH 40V 3.5A SOT223 2,362 - Inmediata
1.24000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-261-4, TO-261AA SOT-223
VNN3NV04PTR-E Datasheet VNN3NV04PTR-E - STMicroelectronics 497-13077-6-ND IC MOSFET N-CH 40V 3.5A SOT223 2,362 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-261-4, TO-261AA SOT-223
VND7NV04TR-E Datasheet VND7NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11707-2-ND MOSFET POWER 40V 6A DPAK 5,000 - Inmediata
0.74250 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 6 A 60 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VND7NV04TR-E Datasheet VND7NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11707-1-ND MOSFET POWER 40V 6A DPAK 7,285 - Inmediata
1.67000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 6 A 60 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VND7NV04TR-E Datasheet VND7NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11707-6-ND MOSFET POWER 40V 6A DPAK 7,285 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 6 A 60 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VNS3NV04DPTR-E Datasheet VNS3NV04DPTR-E - STMicroelectronics 497-13078-2-ND IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC 7,500 - Inmediata
0.82890 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 2 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SO
VNS3NV04DPTR-E Datasheet VNS3NV04DPTR-E - STMicroelectronics 497-13078-1-ND IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC 8,424 - Inmediata
1.87000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 2 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SO
VNS3NV04DPTR-E Datasheet VNS3NV04DPTR-E - STMicroelectronics 497-13078-6-ND IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC 8,424 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 2 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 3.5 A 120 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SO
VND14NV04TR-E Datasheet VND14NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11687-2-ND MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK 5,000 - Inmediata
0.89100 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 12 A 35 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VND14NV04TR-E Datasheet VND14NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11687-1-ND MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK 5,798 - Inmediata
2.01000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 12 A 35 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VND14NV04TR-E Datasheet VND14NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11687-6-ND MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK 5,798 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 12 A 35 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VND14NV04-E Datasheet VND14NV04-E - STMicroelectronics 497-2674-5-ND MOSFET N-CH 40V 12A DPAK 3,185 - Inmediata
2.06000 1 Tubo? OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 12 A 35 mOhm (máx.) No inversor
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Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 D-Pak
VNB35NV04TR-E Datasheet VNB35NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11686-2-ND MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK 1,000 - Inmediata
2.50880 1,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 30 A 13 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB D2PAK
VNB35NV04TR-E Datasheet VNB35NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11686-1-ND MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK 2,841 - Inmediata
4.89000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 30 A 13 mOhm (máx.) No inversor
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Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB D2PAK
VNB35NV04TR-E Datasheet VNB35NV04TR-E - STMicroelectronics 497-11686-6-ND MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK 2,841 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
OMNIFET II™, VIPower™ Propósito general 1 1:1 Nivel bajo Canal N Encendido/apagado 36 V (máx.) No requerido 30 A 13 mOhm (máx.) No inversor
-
Límite de corriente (fija), sobretemperatura, sobrevoltaje -40°C ~ 150°C (TJ) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB D2PAK
SI1869DH-T1-E3 Datasheet SI1869DH-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1869DH-T1-E3TR-ND IC LOAD SW LVL SHIFT 20V SC70-6 30,000 - Inmediata
0.12870 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal P Encendido/apagado 1.8 V ~ 20 V
-
1.2 A 132 mOhm
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Velocidad de respuesta controlada
-
-55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363)
SI1869DH-T1-E3 Datasheet SI1869DH-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1869DH-T1-E3CT-ND IC LOAD SW LVL SHIFT 20V SC70-6 31,079 - Inmediata
0.47000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal P Encendido/apagado 1.8 V ~ 20 V
-
1.2 A 132 mOhm
-
Velocidad de respuesta controlada
-
-55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363)
SI1869DH-T1-E3 Datasheet SI1869DH-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1869DH-T1-E3DKR-ND IC LOAD SW LVL SHIFT 20V SC70-6 31,079 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal P Encendido/apagado 1.8 V ~ 20 V
-
1.2 A 132 mOhm
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Velocidad de respuesta controlada
-
-55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363)
SIP32401ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32401ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32401ADNP-T1GE4TR-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 30,000 - Inmediata
0.13200 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
SIP32401ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32401ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32401ADNP-T1GE4CT-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 31,435 - Inmediata
0.48000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
SIP32401ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32401ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32401ADNP-T1GE4DKR-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 31,435 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
SIP32402ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32402ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32402ADNP-T1GE4TR-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 27,000 - Inmediata
0.13200 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Descarga de carga, Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
SIP32402ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32402ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32402ADNP-T1GE4CT-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 29,818 - Inmediata
0.48000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Descarga de carga, Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
SIP32402ADNP-T1GE4 Datasheet SIP32402ADNP-T1GE4 - Vishay Siliconix SIP32402ADNP-T1GE4DKR-ND IC SW W/CTRL SLEW RATE 4TDFN 29,818 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Propósito general 1 1:1 Nivel alto Canal N Encendido/apagado 1.1 V ~ 5.5 V No requerido 2.4 A 62 mOhm No inversor Descarga de carga, Velocidad de respuesta controlada Corriente inversa -40°C ~ 125°C (TJ) Almohadilla expuesta 4-UFDFN 4-TDFN (1.2x1.6)
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