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Fabricante Empaquetado Serie Estado de la pieza Configuración dirigida Tipo de canal Cantidad de controladores Tipo de compuerta Voltaje de la fuente Voltaje lógico - VIL, VIH Corriente - salida pico (fuente, disipación) Tipo de entrada Voltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque) Tiempo de subida/bajada Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Precio unitario
USD
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Cantidad mínima
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Configuración dirigida Tipo de canal Cantidad de controladores Tipo de compuerta Voltaje de la fuente Voltaje lógico - VIL, VIH Corriente - salida pico (fuente, disipación) Tipo de entrada Voltaje de polo vivo (nivel alto) - Máx. (en arranque) Tiempo de subida/bajada Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 42,000 - Inmediata
21,000 - Stock en fábrica
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0.20150 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 25 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 44,950 - Inmediata
21,000 - Stock en fábrica
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0.59000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 25 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 44,950 - Inmediata
21,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 25 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 7,500 - Inmediata
0.21700 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
No inversor 35 V 16 ns, 11 ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 12,540 - Inmediata
0.63000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
No inversor 35 V 16 ns, 11 ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 12,540 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
No inversor 35 V 16 ns, 11 ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 21,000 - Inmediata
0.21750 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 25,419 - Inmediata
0.58000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 25,419 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
Automotive, AEC-Q101 Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (máx.)
-
10 A, 10 A No inversor
-
48 ns, 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-26
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 9,000 - Inmediata
0.24650 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
Inversión, No inversor 35 V 20 ns, 11 ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla expuesta 8-VFDFN 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 11,239 - Inmediata
0.66000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
Inversión, No inversor 35 V 20 ns, 11 ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla expuesta 8-VFDFN 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 11,239 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Medio puente Sincrónico 2 MOSFET de canal N 4.6 V ~ 13.2 V 0.8 V, 2 V
-
Inversión, No inversor 35 V 20 ns, 11 ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla expuesta 8-VFDFN 8-DFN (3x3)
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild Semiconductor FAN3111ESXTR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 21,000 - Inmediata
87,000 - Stock en fábrica
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0.28275 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A No inversor
-
9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild Semiconductor FAN3111ESXCT-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 22,955 - Inmediata
87,000 - Stock en fábrica
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0.75000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A No inversor
-
9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild Semiconductor FAN3111ESXDKR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 22,955 - Inmediata
87,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A No inversor
-
9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - Fairchild Semiconductor FAN3111CSXTR-ND IC GATE DVR 1CH 1A LOW SOT23-5 6,000 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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0.28275 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A Inversión, No inversor
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9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - Fairchild Semiconductor FAN3111CSXCT-ND IC GATE DVR 1CH 1A LOW SOT23-5 7,277 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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0.75000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A Inversión, No inversor
-
9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - Fairchild Semiconductor FAN3111CSXDKR-ND IC GATE DVR 1CH 1A LOW SOT23-5 7,277 - Inmediata
54,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 MOSFET de canal N 4.5 V ~ 18 V
-
1.4 A, 1.4 A Inversión, No inversor
-
9 ns, 8 ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 2,500 - Inmediata
10,000 - Stock en fábrica
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0.29000 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
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5 ns, 7 ns 0°C ~ 70°C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 5,439 - Inmediata
10,000 - Stock en fábrica
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0.77000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
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5 ns, 7 ns 0°C ~ 70°C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 5,439 - Inmediata
10,000 - Stock en fábrica
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Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Independiente 2 MOSFET de canal N, canal P 4.75 V ~ 5.25 V 0.8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Inversión
-
5 ns, 7 ns 0°C ~ 70°C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm) 8-SOIC
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 9,000 - Inmediata
0.29145 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 20 V (máx.)
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9 A, 9 A No inversor
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8.3 ns, 10.8 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10,546 - Inmediata
0.78000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 20 V (máx.)
-
9 A, 9 A No inversor
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8.3 ns, 10.8 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10,546 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
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Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 20 V (máx.)
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9 A, 9 A No inversor
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8.3 ns, 10.8 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6,000 - Inmediata
0.29145 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo Nivel bajo Simple 1 IGBT, MOSFET de canal N 40 V (máx.)
-
8 A, 8 A No inversor
-
13.4 ns, 12.4 ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 SOT-23-6
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00:26:16 9/27/2016