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Voltaje de barrera (Vt)	Corriente de valle (Iv)	Corriente de pico	Paquete/Encapsulado
600 mV 1.6 V	25µA 50µA	150 nA 2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados

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	Imagen	Número de pieza de Digi-Key	Número de pieza del fabricante	Fabricante	Descripción	Cantidad disponible	Precio unitario USD	Cantidad mínima	Serie	Voltaje	Disipación de potencia (máx.)	Salida de voltaje	Voltaje de barrera (Vt)	Corriente de pérdida compuerta-ánodo (Igao)	Corriente de valle (Iv)	Corriente de pico	Paquete/Encapsulado
		2N6027RLRAGOSTR-ND	2N6027RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	72,000 - Inmediata	0.10824	2,000	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027RLRAGOSCT-ND	2N6027RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	74,943 - Inmediata	0.44000	1	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRAGOSTR-ND	2N6028RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	20,000 - Inmediata	0.10824	2,000	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRAGOSCT-ND	2N6028RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	20,825 - Inmediata	0.44000	1	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027GOS-ND	2N6027G	ON Semiconductor	TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92	9,101 - Inmediata	0.43000	1	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
		2N6028GOS-ND	2N6028G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	8,475 - Inmediata 30,000 - Stock en fábrica	0.43000	1	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
		2N6027RL1GOSTR-ND	2N6027RL1G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	0.10824	2,000	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027RL1GOSCT-ND	2N6027RL1G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	2,828 - Inmediata	0.44000	1	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027RL1GOSDKR-ND	2N6027RL1G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	2,828 - Inmediata	Calcular	1	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRMGOSTR-ND	2N6028RLRMG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	0.10168	6,000 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRMGOSCT-ND	2N6028RLRMG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	1 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRPGOSTR-ND	2N6028RLRPG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	0.10168	6,000 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRPGOSCT-ND	2N6028RLRPG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	1 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027RLRAOSCT-ND	2N6027RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	10 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRAOSCT-ND	2N6028RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	1 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6027RL1-ND	2N6027RL1	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	4,000 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	1.6 V	10 nA	50µA	2µA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados
		2N6028RLRP-ND	2N6028RLRP	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	0	Llamar	6,000 Agotado	-	40 V	300 mW	11 V	600 mV	10 nA	25µA	150 nA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conductores formados

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