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Fabricante Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Corriente - colector impulsado (Icm) Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Potencia máxima Energía de conmutación Tipo de entrada Carga de compuerta Td (encendido/apagado) a 25°C Condiciones de prueba Tiempo de recuperación inversa (trr) Paquete / Caja (carcasa) Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor
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Comparar piezas Datasheets Imagen Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Descripción Cantidad disponible
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo IGBT Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) Corriente de colector (Ic) máx. Corriente - colector impulsado (Icm) Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic Potencia máxima Energía de conmutación Tipo de entrada Carga de compuerta Td (encendido/apagado) a 25°C Condiciones de prueba Tiempo de recuperación inversa (trr) Paquete / Caja (carcasa) Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor
   
HGTD1N120BNS9A Datasheet HGTD1N120BNS9A - Fairchild Semiconductor HGTD1N120BNS9ATR-ND IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 10,000 - Inmediata
0.54726 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
-
Activo NPT 1200 V 5.3 A 6 A 2.9 V a 15 V, 1 A 60 W 70 µJ (Encendido), 90 µJ (Apagado) Estándar 14 nC 15 ns/67 ns 960 V, 1 A, 82 Ohm, 15 V
-
TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 Montaje en superficie TO-252AA
HGTD1N120BNS9A Datasheet HGTD1N120BNS9A - Fairchild Semiconductor HGTD1N120BNS9ACT-ND IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 11,411 - Inmediata
1.33000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
-
Activo NPT 1200 V 5.3 A 6 A 2.9 V a 15 V, 1 A 60 W 70 µJ (Encendido), 90 µJ (Apagado) Estándar 14 nC 15 ns/67 ns 960 V, 1 A, 82 Ohm, 15 V
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TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 Montaje en superficie TO-252AA
HGTD1N120BNS9A Datasheet HGTD1N120BNS9A - Fairchild Semiconductor HGTD1N120BNS9ADKR-ND IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 11,411 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
-
Activo NPT 1200 V 5.3 A 6 A 2.9 V a 15 V, 1 A 60 W 70 µJ (Encendido), 90 µJ (Apagado) Estándar 14 nC 15 ns/67 ns 960 V, 1 A, 82 Ohm, 15 V
-
TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63 Montaje en superficie TO-252AA
STGP10NC60HD Datasheet STGP10NC60HD - STMicroelectronics 497-5118-5-ND IGBT 600V 20A 65W TO220 4,513 - Inmediata
1.15000 1 Tubo? PowerMESH™ Activo
-
600 V 20 A 30 A 2.5 V a 15 V, 5 A 65 W 31.8 µJ (Encendido), 95 µJ (Apagado) Estándar 19.2 nC 14.2 ns/72 ns 390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V 22 ns TO-220-3 Orificio pasante TO-220AB
STGP19NC60HD Datasheet STGP19NC60HD - STMicroelectronics 497-8809-5-ND IGBT 600V 40A 130W TO220 1,025 - Inmediata
2.09000 1 Tubo? PowerMESH™ Activo
-
600 V 40 A 60 A 2.5 V a 15 V, 12 A 130 W 85 µJ (Encendido), 189 µJ (Apagado) Estándar 53 nC 25 ns/97 ns 390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V 31 ns TO-220-3 Orificio pasante TO-220
STGB20NB37LZT4 Datasheet STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics 497-6567-2-ND IGBT 425V 40A 200W D2PAK 2,000 - Inmediata
2.61800 1,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
PowerMESH™ Activo
-
425 V 40 A 80 A 2 V a 4.5 V, 20 A 200 W 11.8 mJ (Apagado) Estándar 51 nC 2.3 µs/2 µs 250 V, 20 A, 1 kOhm, 4.5 V
-
TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB Montaje en superficie D2PAK
STGB20NB37LZT4 Datasheet STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics 497-6567-1-ND IGBT 425V 40A 200W D2PAK 2,171 - Inmediata
5.11000 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
PowerMESH™ Activo
-
425 V 40 A 80 A 2 V a 4.5 V, 20 A 200 W 11.8 mJ (Apagado) Estándar 51 nC 2.3 µs/2 µs 250 V, 20 A, 1 kOhm, 4.5 V
-
TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB Montaje en superficie D2PAK
STGB20NB37LZT4 Datasheet STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics 497-6567-6-ND IGBT 425V 40A 200W D2PAK 2,171 - Inmediata
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
PowerMESH™ Activo
-
425 V 40 A 80 A 2 V a 4.5 V, 20 A 200 W 11.8 mJ (Apagado) Estándar 51 nC 2.3 µs/2 µs 250 V, 20 A, 1 kOhm, 4.5 V
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TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB Montaje en superficie D2PAK
STGW60V60DF Datasheet STGW60V60DF - STMicroelectronics 497-13768-5-ND IGBT 600V 80A 375W TO247 594 - Inmediata
6.30000 1 Tubo?
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Activo Parada de campo de trinchera 600 V 80 A 240 A 2.3 V a 15 V, 60 A 375 W 750 µJ (Encendido), 550 µJ (Apagado) Estándar 334 nC 60 ns/208 ns 400 V, 60 A, 4.7 Ohm, 15 V 74 ns TO-247-3 Orificio pasante TO-247
FGH60N60SMD Datasheet FGH60N60SMD - Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD-ND IGBT 600V 120A 600W TO247 367 - Inmediata
6.43000 1 Tubo?
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Activo Tope de campo 600 V 120 A 180 A 2.5 V a 15 V, 60 A 600 W 1.26 mJ (Encendido), 450 µJ (Apagado) Estándar 189 nC 18 ns/104 ns 400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V