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Serie Fabricante Tipo FET Característica de FET Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) según Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds Potencia máxima Tipo de montaje Paquete/Encapsulado Paquete de dispositivo de proveedor Empaquetado




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ImagenNúmero de pieza de Digi-KeyNúmero de pieza del fabricanteDescripciónSerieFabricanteTipo FETCaracterística de FETVoltaje drenaje-fuente (Vdss)Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °CRds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °CVgs(th) (máx.) en IdCarga de compuerta (Qg) según VgsCapacitancia de entrada (Ciss) a VdsPotencia máximaTipo de montajePaquete/EncapsuladoPaquete de dispositivo de proveedorEmpaquetadoCantidad disponibleCantidad mínimaPrecio unitarioEspecificaciones técnicas
 Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente  
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3TR-NDMOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
12,000 - Inmediata 3,000 0.03525
2N7002K Datasheet
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3CT-NDMOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
15,336 - Inmediata 1 0.38000
2N7002K Datasheet
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3DKR-NDMOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
15,336 - Inmediata 1 Calcular
2N7002K Datasheet
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3TR-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
102,000 - Inmediata 3,000 0.08100
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3CT-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
103,056 - Inmediata 1 0.48000
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3DKR-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
103,056 - Inmediata 1 Calcular
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3TR-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
6,000 - Inmediata 3,000 0.08100
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3CT-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
11,677 - Inmediata 1 0.48000
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3DKR-NDMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
11,677 - Inmediata 1 Calcular
SI2301CDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3TR-NDMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
15,000 - Inmediata 3,000 0.09720
SI2301BDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3CT-NDMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
17,087 - Inmediata 1 0.57000
SI2301BDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3DKR-NDMOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
17,087 - Inmediata 1 Calcular
SI2301BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3TR-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
21,000 - Inmediata 3,000 0.09900
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3CT-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
23,474 - Inmediata 1 0.58000
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3DKR-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
23,474 - Inmediata 1 Calcular
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3TR-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
12,000 - Inmediata 3,000 0.09900
Si2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3CT-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
15,204 - Inmediata 1 0.58000
Si2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3DKR-NDMOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Digi-Reel®
Embalaje alternativo
15,204 - Inmediata 1 Calcular
Si2304BDS
SI1406DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1406DH-T1-E3TR-NDMOSFET N-CH 20V SC-70-6TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V3.1 A65 mOhm a 3.9 A, 4.5 V1.2 V a 250µA7.5 nC a 4.5 V-1 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
3,000 - Inmediata 3,000 0.10080
SI1406DH
SI1406DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1406DH-T1-E3CT-NDMOSFET N-CH 20V SC70-6TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V3.1 A65 mOhm a 3.9 A, 4.5 V1.2 V a 250µA7.5 nC a 4.5 V-1 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
3,276 - Inmediata 1 0.59000
SI1406DH
SI1406DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1406DH-T1-E3DKR-NDMOSFET N-CH 20V SC70-6TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V3.1 A65 mOhm a 3.9 A, 4.5 V1.2 V a 250µA7.5 nC a 4.5 V-1 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
3,276 - Inmediata 1 Calcular
SI1406DH
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3TR-NDMOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75ACinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
18,000 - Inmediata 3,000 0.10395
Si1032R,X
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3CT-NDMOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75ACinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
20,372 - Inmediata 1 0.46000
Si1032R,X
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3DKR-NDMOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75ADigi-Reel®
Embalaje alternativo
20,372 - Inmediata 1 Calcular
Si1032R,X
SI2304DDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304DDS-T1-GE3TR-NDMOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V3.3 A60 mOhm a 3.2 A, 10 V2.2 V a 250µA6.7 nC a 10 V235 pF a 15 V1.7 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
3,000 - Inmediata 3,000 0.11550
SI2304DDS
Página 1/1,239 ( 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... Última Siguiente )

1:52:56 4/11/2013