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Fabricante Empaquetado Serie Tipo FET Característica de FET Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) según Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds Potencia máxima Tipo de montaje Paquete/Encapsulado Paquete de dispositivo de proveedor





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Especificaciones técnicasImagenNúmero de pieza de Digi-KeyNúmero de pieza del fabricanteFabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecio unitario
USD
Cantidad mínimaEmpaquetadoSerieTipo FETCaracterística de FETVoltaje drenaje-fuente (Vdss)Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °CRds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °CVgs(th) (máx.) en IdCarga de compuerta (Qg) según VgsCapacitancia de entrada (Ciss) a VdsPotencia máximaTipo de montajePaquete/EncapsuladoPaquete de dispositivo de proveedor
  Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente
2N7002K Datasheet
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-2348,000 - Inmediata 0.03525 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
2N7002K Datasheet
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-2348,891 - Inmediata 0.38000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
2N7002K Datasheet
2N7002K-T1-E3 - Vishay Siliconix2N7002K-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-2348,891 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico60 V300 mA2 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V30 pF a 25 V350 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-390,000 - Inmediata 0.08100 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-390,528 - Inmediata 0.48000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-390,528 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-36,000 - Inmediata 0.08100 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-310,791 - Inmediata 0.48000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301CDS
SI2301CDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301CDS-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-310,791 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET Canal P, óxido metálicoEstándar20 V3.1 A112 mOhm a 2.8 A, 4.5 V1 V a 250µA10 nC a 4.5 V405 pF a 10 V1.6 WMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301BDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-315,000 - Inmediata 0.09720 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301BDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-315,711 - Inmediata 0.57000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2301BDS
SI2301BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2301BDS-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-315,711 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V2.2 A100 mOhm a 2.8 A, 4.5 V950 mV a 250µA10 nC a 4.5 V375 pF a 6 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Si2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-324,000 - Inmediata 0.09900 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Si2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-327,156 - Inmediata 0.58000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Si2304BDS
SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-327,156 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-39,000 - Inmediata 0.09900 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-310,771 - Inmediata 0.58000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SI2304BDS
SI2304BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2304BDS-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-310,771 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V2.6 A70 mOhm a 2.5 A, 10 V3 V a 250µA4 nC a 5 V225 pF a 15 V750 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Si1032R,X
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A15,000 - Inmediata 0.10395 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75A
Si1032R,X
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A15,594 - Inmediata 0.46000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75A
Si1032R,X
Photo Not AvailableSI1032R-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A15,594 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico20 V140 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSC-75ASC-75A
SI3456DDV
SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI3456DDV-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP12,000 - Inmediata 0.11550 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V6.3 A40 mOhm a 5 A, 10 V3 V a 250µA9 nC a 10 V325 pF a 15 V2.7 WMontaje en superficie6-TSOP (ancho 0.065", 1.65 mm)6-TSOP
SI3456DDV
Photo Not AvailableSI3456DDV-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP13,374 - Inmediata 0.51000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V6.3 A40 mOhm a 5 A, 10 V3 V a 250µA9 nC a 10 V325 pF a 15 V2.7 WMontaje en superficie6-TSOP (ancho 0.065", 1.65 mm)6-TSOP
SI3456DDV
Photo Not AvailableSI3456DDV-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP13,374 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V6.3 A40 mOhm a 5 A, 10 V3 V a 250µA9 nC a 10 V325 pF a 15 V2.7 WMontaje en superficie6-TSOP (ancho 0.065", 1.65 mm)6-TSOP
SI2303BDS
SI2303BDS-T1-E3 - Vishay SiliconixSI2303BDS-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-318,000 - Inmediata 0.11880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-MOSFET Canal P, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico30 V1.49 A200 mOhm a 1.7 A, 10 V3 V a 250µA10 nC a 10 V180 pF a 15 V700 mWMontaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
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