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Serie Fabricante Tipo FET Característica de FET Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) según Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds Potencia máxima Tipo de montaje Paquete/Encapsulado Paquete de dispositivo de proveedor Empaquetado




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ImagenNúmero de pieza de Digi-KeyNúmero de pieza del fabricanteDescripciónSerieFabricanteTipo FETCaracterística de FETVoltaje drenaje-fuente (Vdss)Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °CRds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °CVgs(th) (máx.) en IdCarga de compuerta (Qg) según VgsCapacitancia de entrada (Ciss) a VdsPotencia máximaTipo de montajePaquete/EncapsuladoPaquete de dispositivo de proveedorEmpaquetadoCantidad disponibleCantidad mínimaPrecio unitarioEspecificaciones técnicas
 Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente  
SI1926DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1926DL-T1-E3TR-NDMOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V370 mA1.4 Ohm a 340 mA, 10 V2.5 V a 250µA1.4 nC a 10 V18.5 pF a 30 V510 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
18,000 - Inmediata 3,000 0.13950
SI1926DL
SI1926DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1926DL-T1-E3CT-NDMOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V370 mA1.4 Ohm a 340 mA, 10 V2.5 V a 250µA1.4 nC a 10 V18.5 pF a 30 V510 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
19,781 - Inmediata 1 0.50000
SI1926DL
SI1926DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1926DL-T1-E3DKR-NDMOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V370 mA1.4 Ohm a 340 mA, 10 V2.5 V a 250µA1.4 nC a 10 V18.5 pF a 30 V510 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
19,781 - Inmediata 1 Calcular
SI1926DL
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3TR-NDMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
3,000 - Inmediata 3,000 0.13950
SI1967DH
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3CT-NDMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
7,217 - Inmediata 1 0.50000
SI1967DH
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3DKR-NDMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
7,217 - Inmediata 1 Calcular
SI1967DH
SI1555DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1555DL-T1-E3TR-NDMOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico20 V, 8 V660 mA, 570 mA385 mOhm a 660 mA, 4.5 V1.4 V a 250µA1.2 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
24,000 - Inmediata 3,000 0.14000
SI1555DL
SI1555DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1555DL-T1-E3CT-NDMOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico20 V, 8 V660 mA, 570 mA385 mOhm a 660 mA, 4.5 V1.4 V a 250µA1.2 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
25,059 - Inmediata 1 0.57000
SI1555DL
SI1555DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1555DL-T1-E3DKR-NDMOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico20 V, 8 V660 mA, 570 mA385 mOhm a 660 mA, 4.5 V1.4 V a 250µA1.2 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
25,059 - Inmediata 1 Calcular
SI1555DL
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3TR-NDMOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
12,000 - Inmediata 3,000 0.14000
Si1026X
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3CT-NDMOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
13,580 - Inmediata 1 0.60000
Si1026X
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3DKR-NDMOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
13,580 - Inmediata 1 Calcular
Si1026X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3TR-NDMOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
3,000 - Inmediata 3,000 0.14415
Si1023X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3CT-NDMOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
6,722 - Inmediata 1 0.51000
Si1023X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3DKR-NDMOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
6,722 - Inmediata 1 Calcular
Si1023X
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3TR-NDMOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
66,000 - Inmediata 3,000 0.14880
SI1972DH
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3CT-NDMOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
66,300 - Inmediata 1 0.53000
SI1972DH
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3DKR-NDMOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
66,300 - Inmediata 1 Calcular
SI1972DH
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3TR-NDMOSFET N/P-CH 30V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
45,000 - Inmediata 3,000 0.14880
SI1539DL
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3CT-NDMOSFET N/P-CH 30V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
48,905 - Inmediata 1 0.53000
SI1539DL
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3DKR-NDMOSFET N/P-CH 30V SC70-6TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
48,905 - Inmediata 1 Calcular
SI1539DL
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3TR-NDMOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
15,000 - Inmediata 3,000 0.14880
Si1034X
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3CT-NDMOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
19,839 - Inmediata 1 0.53000
Si1034X
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3DKR-NDMOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6Digi-Reel®
Embalaje alternativo
19,839 - Inmediata 1 Calcular
Si1034X
SI1903DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1903DL-T1-E3TR-NDMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V410 mA995 mOhm a 410 mA, 4.5 V1.5 V a 250µA1.8 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
9,000 - Inmediata 3,000 0.14880
SI1903DL
Página 1/177 ( 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... Última Siguiente )

1:52:46 4/11/2013