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Fabricante Empaquetado Serie Tipo FET Característica de FET Voltaje drenaje-fuente (Vdss) Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) según Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds Potencia máxima Tipo de montaje Paquete/Encapsulado Paquete de dispositivo de proveedor





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Especificaciones técnicasImagenNúmero de pieza de Digi-KeyNúmero de pieza del fabricanteFabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecio unitario
USD
Cantidad mínimaEmpaquetadoSerieTipo FETCaracterística de FETVoltaje drenaje-fuente (Vdss)Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °CRds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °CVgs(th) (máx.) en IdCarga de compuerta (Qg) según VgsCapacitancia de entrada (Ciss) a VdsPotencia máximaTipo de montajePaquete/EncapsuladoPaquete de dispositivo de proveedor
  Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente Ascendente Descendente
SI1967DH
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-66,000 - Inmediata 0.13950 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1967DH
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-69,590 - Inmediata 0.50000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1967DH
SI1967DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1967DH-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-69,590 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V1.3 A490 mOhm a 910 mA, 4.5 V1 V a 250µA4 nC a 8 V110 pF a 10 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
Si1026X
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-63,000 - Inmediata 0.14000 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1026X
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-64,500 - Inmediata 0.60000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1026X
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-64,500 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60 V305 mA1.4 Ohm a 500 mA, 10 V2.5 V a 250µA0.6 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1023X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-63,000 - Inmediata 0.14415 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1023X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-66,602 - Inmediata 0.51000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1023X
SI1023X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1023X-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-66,602 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V370 mA1.2 Ohm a 350 mA, 4.5 V450 mV a 250µA1.5 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
SI1972DH
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-663,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1972DH
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-665,774 - Inmediata 0.53000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1972DH
SI1972DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1972DH-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-665,774 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Estándar30 V1.3 A225 mOhm a 1.3 A, 10 V2.8 V a 250µA2.8 nC a 10 V75 pF a 15 V740 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1539DL
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N/P-CH 30V SC70-642,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1539DL
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N/P-CH 30V SC70-644,310 - Inmediata 0.53000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1539DL
SI1539DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1539DL-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N/P-CH 30V SC70-644,310 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®Canal N y PCompuerta de nivel lógico30 V540 mA, 420 mA480 mOhm a 590 mA, 10 V1 V a 250µA1.4 nC a 10 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
Si1034X
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-615,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1034X
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-619,767 - Inmediata 0.53000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
Si1034X
SI1034X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1034X-T1-GE3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-619,767 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
-Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20 V180 mA5 Ohm a 200 mA, 4.5 V1.2 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
SI1903DL
SI1903DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1903DL-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-69,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V410 mA995 mOhm a 410 mA, 4.5 V1.5 V a 250µA1.8 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1903DL
SI1903DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1903DL-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-611,771 - Inmediata 0.53000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V410 mA995 mOhm a 410 mA, 4.5 V1.5 V a 250µA1.8 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1903DL
SI1903DL-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1903DL-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-611,771 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20 V410 mA995 mOhm a 410 mA, 4.5 V1.5 V a 250µA1.8 nC a 4.5 V-270 mWMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1970DH
SI1970DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1970DH-T1-E3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-66,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30 V1.3 A225 mOhm a 1.2 A, 4.5 V1.6 V a 250µA3.8 nC a 10 V95 pF a 15 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1970DH
SI1970DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1970DH-T1-E3CT-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-67,405 - Inmediata 0.53000 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30 V1.3 A225 mOhm a 1.2 A, 4.5 V1.6 V a 250µA3.8 nC a 10 V95 pF a 15 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SI1970DH
SI1970DH-T1-E3 - Vishay SiliconixSI1970DH-T1-E3DKR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-67,405 - Inmediata Calcular 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET®Dos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30 V1.3 A225 mOhm a 1.2 A, 4.5 V1.6 V a 250µA3.8 nC a 10 V95 pF a 15 V1.25 WMontaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
Si1016X
SI1016X-T1-GE3 - Vishay SiliconixSI1016X-T1-GE3TR-ND Esta pieza cumple con RoHS.

MOSFET N/P-CH 20V SC89-63,000 - Inmediata 0.14880 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
-Canal N y PCompuerta de nivel lógico20 V485 mA, 370 mA700 mOhm a 600 mA, 4.5 V1 V a 250µA0.75 nC a 4.5 V-250 mWMontaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89-6
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