VCNL3020

Sensor de proximidad con interfaz I2C

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WSBM8518

Resistor de derivación de batería Power Metal Strip® con gabinete moldeado

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Rectificadores TMBS® de 170 V

Rectificadores de barrera Schottky con MOS trincera de 170 V para fuentes de alimentación para telecomunicaciones

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MCW 0406 AT

Resistores de chip de película delgada con terminal amplio de precisión y profesional

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MOSFET TrenchFET® Gen IV

La tecnología de próxima generación disminuye la resistencia en estado encendido a 0.00135 Ω a VGS = 4.5 V

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IHLP-6767GZ-5A

Inductor IHLP® de alta temperatura con funcionamiento continuo de 155 ºC

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Serie eSMP®

SlimSMA™ y SMPD para rectificadores y supresores de voltaje transiente

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LPS 1100

Resistor de película delgada de 1100 W de alta potencia y primero de la industria

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MOSFET de alto voltaje de la serie E

MOSFET Super Junction de 600 V y 650 V de próxima generación

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T16

Capacitor de tantalio húmedo, con conductor axial y de alto rendimiento

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SiP32458/SiP32459

Interruptores de carga controlado mediante la velocidad de respuesta de 20 mΩ en WCSP6

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Serie VJ HIFREQ
(Capacitores RF MLCC)

Capacitores de chip de cerámica, multicapas y de montaje en superficie para aplicaciones de alta frecuencia

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VCNL3020
Sensor de proximidad integrado con interfaz I2C

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Características:

  • Emisor infrarrojo integrado, detector de proximidad y CI de procesamiento de señal
  • Distancia de proximidad de hasta 200 mm (8 pulgadas)
  • No se requiere barrera mecánica para aislar el emisor del detector
  • Resolución de 16 bits para el rango de detección de proximidad
  • Corriente de impulso de LED programable de 10 mA a 200 mA en pasos de 10 mA
  • El perfil más bajo de la industria con una altura de 0.83 mm

Aplicaciones:

  • Detección de objeto y proximidad relativa
  • Teléfonos inteligentes, cámaras digitales, tabletas
    - Control de luz de fondo de la pantalla LCD
  • Dispensadores de jabón y tohalla, grifos automáticos
  • Función despertador

 

WSBM8518
Resistor de derivación de batería Power Metal Strip® con gabinete moldeado

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Características:

  • El gabinete moldeado le permite una conexión fácil de la placa CI desde la derivación a la salida del cliente
  • Valor de resistencia muy bajo: 100 µΩ
  • Elemento resistivo de aleación de manganeso y cobre con TCR bajo: < 20 ppm/°C
  • Incluye un conector hembra de 4 pines (Molex N.º: MX150334820401)

Aplicaciones:

  • Uso automotriz
    - Administración de baterías de sistemas de gas/diesel, híbridos y todos eléctricos
  • Industrial
    - Administración de batería del montacargas, camiones utilitarios y otras aplicaciones industriales pesadas que utilizan baterías grandesRectificadores TMBS® de 170 V

Rectificadores TMBS® de 170 V
Amplio rango de corriente nominal para fuentes de alimentación de telecomunicaciones

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Características:

  • Corriente nominal de 10 A a 80 A
  • Caída de voltaje directo bajo de 0.65 V (típico) a 30 A
  • Temperatura de unión de funcionamiento máximo de 175 °C
  • Disponible en paquetes TO-220AB, TO-263AB y TO-3PW

Aplicaciones:

  • Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Industrial

MCW 0406 AT
Resistores de chip de película delgada con terminal amplio de precisión y profesional

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Características:

  • Disipación nominal: hasta 300 mW
  • Solidez cíclica de temperatura superior
  • Calificado según AEC-Q200
  • Precisión (0.1 % y TCR ± 25 ppm/K): de hasta 1 Ω

Aplicaciones:

  • Uso automotriz
    - Sistemas de iluminación Xenon y LED
    - ECU y controles de caja de cambios
  • Industrial
    - Medición de energía
    - Fuentes de alimentación

MOSFET TrenchFET® Gen IV
La tecnología de próxima generación disminuye la resistencia en estado encendido a 0.00135 Ω a VGS = 4.5 V

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Características:

  • La tecnología de próxima generación optimiza varias especificaciones clave:
    - Hasta un nivel ultrabajo de 0.00135 Ω a VGS = 4.5 V y 0.001 Ω a VGS = 10 V
    - Qgd muy bajo y tasa Qgd/Qgs excepcionalmente baja: < 0.5
    - Inmunidad mejorada a acoplamiento de compuerta CdV/dt
  • Opciones de 30 V a 60 V
  • El envase PowerPAK® termomejorado aumenta la densidad de la potencia del sistema.
    - Mayor capacidad de manejo de la corriente con PowerPAK® SO-8
    - Alcanza igual o menos pérdida de potencia en 1/3 del área de la huella con PowerPAK® 1212-8
    - PowerPAIR® reduce el espacio y aumeta el rendimiento sobre dos discretos

Aplicaciones:

  • Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Industrial

IHLP-6767GZ-5A
Inductor IHLP® de alta temperatura con funcionamiento continuo de 155 ºC

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Características:

  • El inductor de potencia IHLP® más grande y el de mayor corriente disponible
  • Funcionamiento continuo de 155 ºC, excursiones de hasta 170 ºC
  • Grado automotriz, integrado conforme a las especificaciones AEC-Q200
  • Corriente alta: hasta 53 A a 1.0 µH

Aplicaciones:

  • Uso automotriz
    - Filtros de ruido de corriente alta para aplicaciones de control del motor
    - Circuitos de encendido/detenció o circuitos de estabilización de voltaje
    - Conversores CC/CC de alta corriente
    - Circuitos de controladores LED
  • Convertidores de CC/CC de alta corriente de hasta 1.0 MHz
  • Aplicaciones del inductor de filtro de alta corriente

Recursos:

 

Serie eSMP®
SlimSMA™ y SMPD para rectificadores y supresores de voltaje transiente

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Características:

  • El paquete de montaje en superficie de perfil muy bajo DO-221AC (SlimSMA) con altura típica de 0.95 mm
    - La huella es compatible con SMA
  • Paquete de montaje en superficie SMPD de perfil muy bajo con altura típica de 1.7 mm
  • PPPM: 600 W a 10/1000 µs para SMA6F TVS en SlimSMA
  • Ofrece voltaje stand-off VWM = 5 V a 20 V para SMA6F TVS en SlimSMA
  • TJ máx. de 175 °C para rectificadores estándares SMA6F TVS y SE2(3)0AFJ en SlimSMA
  • Caída del voltaje directo bajo de 0.42 V (típico) a 15 A, 125 °C para V30DL50C, TMBS® de 50 V en SMPD
  • Caída del voltaje directo bajo de 0.37 V (típico) a 3 A, para VSSAF3L45 y VSSAF5L45, TMBS® de 45 V en SlimSMA
  • Capacidad de ESD para rectificadores estándares de 600 V de las series SE20AFJ y SE30AFJ en SlimSMA

Aplicaciones:

  • Aplicaciones de consumo, informáticas, industriales, automotrices y de telecomunicaciones

LPS 1100
Resistor de película delgada de 1100 W de alta potencia y primero de la industria

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Características:

  • Disipación de potencia muy alta para un tamaño pequeño (60 mm x 57 mm) y peso (79 g)
  • 1100 W a temperatura de disipación térmica de 25 ºC
  • No inductivo por debajo de 0.1 µH
  • Pulso alto de hasta 1K1 joules
  • Resistencia dieléctrica alta de hasta 12 KVRMS

Aplicaciones:

  • Resistencia de interrupción para aplicaciones de viento
  • Precarga o descarga para EV/HEV
  • Resistencias de seguridad
  • Sistemas de frenado

Recursos:

 

MOSFET de alto voltaje de la serie E
MOSFET Super Junction de 600 V y 650 V de próxima generación

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Características:

  • Mayor densidad de corriente sobre la serie S con una reducción del 30 % en resistencia en estado encendio específica para pérdidas de conducción reducidas
  • Mayor carga de compuerta y coeficiente de calidad (FOM) de pérdidas de interrupción inferior
  • Capacidad alta EAS y avalanca 100 % comprobada
  • Variedad de opciones de embalaje, entre ellas TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247AC/AD, D2PAK, DPAK, IPAK y PowerPAK® 8x8

Aplicaciones:

  • Telecomunicaciones
    - Fuentes de alimentación del servidor
  • Computadora y consumidor
    - ATX, adaptadores
  • Iluminación
    - HID, LED y fluorescente
  • Industrial
    - Soldadura, cargadores de batería, UPS, inductotermia
  • Energía renovable
    - Central/micro inversores para solar (inversores PV)

T16
Capacitor de tantalio húmedo, con conductor axial y de alto rendimiento

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Características:

  • Caja de tantalio hermética y de alta capacitancia
  • Clasificación de 6 V a 125 V, temperatura de funcionamiento: -55 ºC a +125 ºC
  • capacidad inversa de 1.5 V
  • 50 g seno, 27.7 g de vibración aleatoria random vibration
  • Shocks térmicos 300

Aplicaciones:

  • Aeronaútica, militar y espacial
    - Desacoplamiento
    - Filtrado
    - Retención de energía

SiP32458/SiP32459
Interruptores de carga controlado mediante la velocidad de respuesta de 20 mΩ en WCSP6

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Características:

  • Amplio rango de voltaje de funcionamiento: 1.5 V a 5.5 V
  • RDS(on) bajo y plano de 20 mΩ en un rango de 3 V a 5.5 V
  • Corriente de reposo baja de 8 µA
  • Control lógico bajo permitido con una resistencia en pull-down integrada
  • Bloqueo de corriente inversa al deshabilitarse (SiP32458)
  • Interruptor de descarga de salida integrada (SiP32459)
  • Habilitado con resistencia en pull-down integrada
  • WCSP pequeño de 6 topes y de 1 mm x 1.5 mm con laminación superior para mayor solidez

Aplicaciones:

  • Dispositivos que funcionan con baterías
  • Teléfonos inteligentes, teléfonos móviles y reproductores de medios portátiles
  • Computadoras portátiles, ultrabooks y tabletas
  • GPS, PMP y cónsolas de juego
  • Equipos médicos y de asistencia médica
  • Industrial e instrumentación

Serie VJ HIFREQ (capacitores RF MLCC)
Capacitores de chip de cerámica, multicapas y de montaje en superficie para aplicaciones de alta frecuencia

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Características:

  • Tamaños de cajas: 0402, 0603 y 0805
  • Factor de disipación bajo: < 0.05 %
  • Q alto: > 2000
  • Material dieléctrico ultraestable
  • Varias terminaciones para distintas aplicaciones: sin plomo (Pb), plumbífero, plata-paladio y no magnético
  • Proceso de construcción húmeda con sistema confiable de electrodo de metal noble (NME)

Aplicaciones:

  • Comunicaciones inalámbricas de banda ancha
  • Comunicaciones satelitales
  • Redes VoIP y estaciones base celulares
  • Dispositivos inalámbricos basados en el suscriptor

Recursos:

 

 
 

Folletos:

Súper 12 productos destacados 2013