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MOSFET con RDS(on) baja en paquetes ultrapequeños


El amplio rango de MOSFET de RDSDS(on) bajo de alto rendimiento de NXP en paquetes DFN2020 y DFN1006 muy pequeños


Compruebe el amplio rango de MOSFET de RDS(on) bajo de alto rendimiento de NXP en paquetes DFN2020 y DFN1006 muy pequeños. Estos productos cumplen con las tendencias de mayor eficiencia, mayor densidad de potencia y menor consumo de energía.

SOT23 para portátiles - DFN1006
  • Con un diseño 7 veces más pequeño que un SOT23, pero ofrece la misma disipación de potencia (350 mW)
  • 2 versiones: ambos con tamaño de 1 x 0.6 mm, pero altura diferente con 0.37 mm (DFN1006B-3) y 0.5 mm (DFN1006-3)
  • Fuentes múltiples debido a una base amplia de proveedores:
    • > 5 proveedor por paquetes compatibles con la huella
    • Amplio rango de carteras de MOSFET y transistores bipolares disponibles en el mercado
    • Amplio rango de corriente de 100 mA a 1 A admitido
  • Estos MOSFET son una muy buena opción para interruptores de carga en unidades de administración de potencia de dispositivos portátiles.
  • Los MOSFET simples y dobles DFN2020 de 2 x 2 x 0.65 mm son más avanzados en cuanto densidad de potencia:

  • Solo ocupan un área de montaje de 4 mm2, pero tienen una resistencia térmica como un SO-8 estándar.
  • Esta familia que está optimizada para un rendimiento cambiante y RDS(on) bajo es ideal para conmutación de batería/cargador y convertidores de CC-CC en aplicaciones portátiles.
  • El paquete DFN2020 único se ofrece con almohadillas con laterales soldables estañados ("flancos húmedos) para facilitar la inspección de la soldadura.
  • MOSFET con RDS(on) bajo en paquetes ultra pequeños

    Características Aplicaciones
    • Tipos de canal P y N de 12-60 V
    • Tipos de productos protegidos contra ESD de hasta 3 kV HBM
    • Tipos automotrices con calificación AEC-Q101
    • Tipos de productos con almohadillas laterales soldables estañadas
    • Valores de RDS(on) muy bajos de menos de 0.65 mOhm a 2.5 V (para tipos DFN1006)
    • Rango de RDS(on) de hasta 10 mOhm e ID de hasta 13 A (para tipos DFN2020)
    • Conversión de energía y funciones de conmutación en dispositivos electrónicos pequeños, delgados y alimentados a batería
    • Otras aplicaciones con espacio restringido en la industria automotriz, de consumo e industrial

    MOSFET con RDS(on) bajo en paquetes DFN1006 (opción de 30 tipos de carteras)
    N.° de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción Polaridad VDS (V) RDS(on) típ (mΩ)  
    568-10448-2-ND PMZB290UN,315 MOSFET N-CH 20V SGL XQFN Canal N 20 290 Hoja de datos
    568-6775-2-ND PMZ250UN,315 MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 Canal N 20 250 Hoja de datos
    568-10438-2-ND 2N7002BKMB,315 MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 Canal N 60 1300 Hoja de datos
    568-10439-2-ND NX3008NBKMB,315 MOSFET N-CH 30V 530MA SOT883B Canal N 30 1000 Hoja de datos
    568-10440-2-ND NX3008PBKMB,315 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT883B Canal P 30 2800 Hoja de datos
    568-10449-2-ND PMZB350UPE,315 MOSFET P-CH SINGLE 20V 3DFN Canal P
    (ESD prot. )
    20 330 Hoja de datos
    MOSFET con RDS(on) bajo en paquetes DFN1006 (opción de 80 tipos de carteras)
    N.° de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción Polaridad VDS (V) RDS(on) típ (mΩ)  
    568-10453-2-ND PMPB15XP,115 MOSFET P-CH 12V 11.8A 6DFN Canal P 12 15 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10443-2-ND PMDPB70XP,115 MOSFET P-CH 30V 2.9A 6DFN Canal P doble 30 70 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10441-2-ND PMC85XP,115 MOSFET P-CH 30V HUSON6 Controlador P + RET 30 85 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10442-2-ND PMDPB58UPE,115 MOSFET P-CH 20V DUAL HUSON6 Canal P doble 20 58 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10450-2-ND PMPB11EN,115 MOSFET N-CH 30V 13A 6DFN Canal N 30 12 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10455-2-ND PMPB20EN,115 MOSFET N-CH 100V 2.6A 6DFN Canal N 30 16.5 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10451-2-ND PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 11.3A 6DFN Canal N, único 20 12 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10452-2-ND PMPB15XN,115 MOSFET N-CH 20V 10.4A 6DFN Canal N, único 20 15 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10444-2-ND PMDPB85UPE,115 MOSFET P-CH DUAL 20V 6HUSON Canal N, doble
    (ESD prot. )
    20 85 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10454-2-ND PMPB16XN,115 MOSFET N-CH 30V 10.3A 6DFN Canal N, único 30 16 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10446-2-ND PMPB40SNA,115 MOSFET N-CH 60V SOT1220 Canal N, único 60 40 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10445-2-ND PMPB33XP,115 MOSFET P-CH 20V SGL SOT1220 Canal P, único 20 33 a 4.5 V Hoja de datos
    568-10447-2-ND PMPB48EP,115 MOSFET P-CH 30V SGL SOT1220 Canal P, único 30 43 a 4.5 V Hoja de datos