MOSFET de canal N: OptiMOS™

Con la amplia cartera de productos OptiMOS™ de 20 V y 250 V, Infineon Technologies se ha convertido en un referente en la industria. La resistencia principal en estado encendido RDS(on) y la capacidad de conmutación disminuyen las pérdidas de potencia y permiten lograr una eficiencia total del 96%. Con estos productos, Infineon apoya la tendencia del mercado hacia los objetivos de eficiencia energética como Energy Star Diamond. La tecnología OptiMOS™ permite la primera vez valores RDS(on) muy bajos que son necesarios para aplicaciones de alta corriente en paquetes donde se ahorra el espacio, como SuperSO8, S3O8, CanPAK™ y el innovador Blade que solo era posible anteriormente en paquetes de gran tamaño.

OptiMOS Infineon

Aplicaciones objetivo

  • Rectificación sincrónica en servidor y escritorio
  • Impulsores de motor
  • Conversores CC/CC

Características del producto

  • RDS(on) más bajo del mundo
  • El mejor rendimiento de conmutación
  • Qg y Qgd muy bajos
 

Comprima el diseño e impulse la eficiencia

OptiMOS™ 40 V y 60 V : La última generación de la familia OptiMOS™ 40 V y 60 V está optimizada para rectificación sincrónica en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como en servidores y computadoras de escritorio. Estos dispositivos establecen los estándares más altos en densidad de potencia y eficiencia, y, a su vez, reducen los costos. También son una opción perfecta para un amplio rango de aplicaciones industriales como control del motor, microinversor solar y convertidor de CC-CC de conmutación rápida.

Aplicaciones objetivo

  • Rectificación sincrónica
  • Microinversores solares
  • Convertidores CC/CC aislados
  • Control del motor de bajo voltaje

Características del producto

  • La mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia
  • Sobreimpulso de voltaje muy bajo
  • Disminuye la necesidad de un circuito de seguridad
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Cartera de productos OptiMOS™ 40 V y 60 V

  SuperSO8
SuperSO8
S308
S308
TO-220
TO-220
I2PAK
I2PAK
D2PAK
D2PAK
D2PAK 7 clavijas
D2PAK 7 clavijas
DPAK
DPAK
MOSFET OptiMOS de 60 V
1-2 mΩ BSC016N06NS     IPI020N06N   IPB010N06N  
BSC014N06NS         IPB014N06N  
2-4 mΩ BSC028N06NS   IPP020N06N IPI029N06N IPB026N06N    
BSC039N06NS   IPP029N06N       IPD025N06N
4-6 mΩ   BSZ042N06NS IPP040N06N   IPB057N06N    
6-8 mΩ     IPP060N06N       IPD053N06N
MOSFET OptiMOS de 40 V
1-2 mΩ BSC010N04LS            
BSC010N04LSI*            
BSC014N04LS            
BSC014N04LSI*            
2-3 mΩ   BSZ023N04LS          

*Diodo tipo Schottky integrado y monolítico

Demostración del > 93% de eficiencia en regulación de voltaje para aplicaciones de alimentación

Familia de productos OptiMOS™ de 25 V y 30 V > 93% de eficiencia en regulación de voltaje para aplicaciones de potencia: Con la última generación de la familia de productos OptiMOS™ de 25 V y 30 V, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos. Los productos son específicos para la aplicación y están optimizados para fuentes de alimentación de servidores, interruptores de telecomunicaciones/comunicaciones de datos y otros. Los productos con la mayor eficiencia en todas las condiciones de carga con los paquetes de potencia más pequeños ofrecen flexibilidad total al optimizar el rendimiento del espacio y el costo.

Aplicaciones objetivo

  • Alimentación integrada para el servidor
  • Rectificación sincrónica
  • Administración de alimentación para informática móvil

Características del producto

  • La mejor resistencia en estado encendido
  • Rendimiento de conmutación ejemplar debido al menor número de mérito
  • Baja resistencia de compuerta
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Cartera de productos OptiMOS™ 25 V y 30 V

  SuperSO8
SuperSO8
S308
S308
CanPAK M
CanPAK™ M
CanPAK S
CanPAK™ S
MOSFET OptiMOS de 25 V
<1 mΩ BSC009NE2LS*      
1-1.5 mΩ BSC010NE2LS   BSB012NE2LX  
BSC010NE2LSI**   BSB013NE2LXI**  
BSC014NE2LSI**      
1.6-2 mΩ BSC018NE2LSI** BSZ018NE2LSI**    
BSC018NE2LS BSZ018NE2LS    
2.1-2.5 mΩ BSC024NE2LS      
3-4 mΩ BSC032NE2LS BSZ036NE2LS    
4.1-4.5 mΩ       BSF030NE2LQ
4.6-5.0 mΩ BSC050NE2LS      
5.6-6.0 mΩ   BSZ060NE2LS    
MOSFET OptiMOS de 30 V
1-1.5 mΩ BSC011N03LS      
1.6-2 mΩ BSC0901NS BSZ019N03LS    
BSC0901NSI**      
2.1-2.5 mΩ   BSZ0901NSI**    
2.6-3 mΩ BSC0902NS BSZ0902NS    
  BSZ0902NSI**    
3.1-3.5 mΩ BSZ0902NSI**      
3.6-4 mΩ BSC0904NSI** BSZ0904NSI**    
5.1-5.5 mΩ BSC0906NS      
BSC052N03LS      
6.1-6.5 mΩ   BSZ065N03LS    
7-8 mΩ BSC0908NS      
>9 mΩ BSC0909NS BSZ0909NS    

Embalaje innovador para MOSFET OptiMOS

SuperSO8/S3O8: La manera más inteligente de lograr la mayor eficiencia y densidad de potencia

S308 y SuperSO8

En aplicaciones como rectificación sincrónica en servidores y computadoras de escritorio, impulsores de motor y convertidores de CC-CC en telecomunicaciones, la alta densidad de potencia y la alta eficiencia son los principales factores de impulso. La tendencia establecida por Infineon de pasar de TO-220 a SuperSO8 en servidores disminuye drásticamente el consumo de volumen. Con cantidad de parásitos tres veces menores en comparación con TO-220, SuperSO8 ofrece la mayor eficiencia y el menor esfuerzo de diseño debido a la reducción de impulsos.

 

CanPAK™: El mejor comportamiento térmico en un espacio pequeño

CanPAK M y CanPAK S

La cartera CanPAK™ es la mejor opción para una amplia cantidad de aplicaciones industriales, como reguladores de voltajes para servidores, convertidores de CC-CC en telecomunicaciones, microinversores solares y los seguimientos del punto de máxima potencia (MPPT), conductores de bajo voltaje y rectificación sincrónica en servidores y computadoras de escritorio. Con un espacio de solo 31 mm2, CanPAK™ M permite reducir el espacio en un 79% de componentes de potencia que se alojan en la placa en comparación con D2PAK tradicional. Además, la "carcasa" de metal permite una refrigeración de doble lado con, prácticamente, no inductancia parásita en paquete, permitiendo mayor eficiencia del sistema.

 

Etapa de potencia 3x3 y etapa de potencia 5x6: ahorra espacio, minimiza pérdidas, impulsa la eficiencia

Etapa de potencia 3x3

Las etapas de potencia FET dobles en un solo paquete SMD sin conductores integra un MOSFET de lado bajo y otro de lado alto de un convertidor CC-CC sincrónico en un diseño de paquete de 3 x 3 mm2 o 5 x 6 mm2. Los diseñadores pueden achicar sus diseños en un 85% al reemplazar dos paquetes discretos separados, como SO-8 y SuperSO8 con este nuevo paquete.

El diseño pequeño y la interconexión de dos MOSFET dentro del paquete minimiza la inductancia del bucle que impulsa la eficiencia. Con la nueva tecnología OptiMOS™, la etapa de potencia de 3 x 3 y etapa de potencia 5 x 6 alcanzan una eficiencia máxima del 93.5%. La etapa de potencia de 3 x 3 puede manejar una corriente de aplicación de hasta 12.5 A y la etapa de potencia de 5 x 6 de hasta 30 A.

Infineon Technologies

Videos:

Impacto de las técnicas de medición de formas de onda Introducción al comportamiento térmico dinámico Introducción al comportamiento térmico dinámico Más potencia, menos espacio. Nuevo OptiMOS™ 40 V y 60 V

Documentos:

Guía de selección de administración de alimentación 2013 Descripción del producto OptiMOS 20 V - 250 V Explicación de la hoja de datos del MOSFET de potencia OptiMOSTM de Infineon Conceptos de refrigeración para el paquete CanPAK TM Mejorar la eficiencia de la rectificación sincrónica al analizar el mecanismo de pérdida de potencia del MOSFET Funcionamiento de modo lineal y diagrama de funcionamiento seguro de los MOSFET de potencia Técnicas simples de diseño para optimizar la eficiencia y los picos de sobrevoltaje de la rectificación sincrónica en convertidores CC-CC TO-leadless (TO-sin conductor): Un nuevo paquete para aplicaciones de alta confiabilidad y de corriente alta Conversor reductor: Pico negativo en el nodo de fase

Productos destacados:

Creamos la administración de alimentación, vivimos la eficiencia energética: Los productos de Infineon se destacan por su confiabilidad, su excelente calidad y su tecnología vanguardista líder e innovadora. Más información

Dispositivos CoolMOS C6: En Infineon, creemos que gracias a la facilidad de uso y la eficiencia energética del modelo anterior, CoolMOS™ C3, junto con la mejora adicional en la eficiencia con carga liviana, la serie CoolMOS™ C6 se convertirá en la referencia de las aplicaciones de conmutación dura. Más información