Distribuidor Fairchild Semiconductor

FDMS86350 - MOSFET PowerTrench® de canal N y de 80 V


Los MOSFET de canal N minimizan la resistencia en el estado encendido y mantienen un rendimiento de conmutación superior


El MOSFET de canal N de Fairchild Semiconductor se produce mediante el proceso avanzado Power Trench® de Fairchild Semiconductor que se ha personalizado especialmente para disminuir la resistencia en estado encendido y aún mantener el rendimiento de conmutación superior.

Características
  • rDS(on) máx. = 2.4 mΩ en VGS = 10 V, ID = 25 A
  • rDS(on) máx. = 3.2 mΩ en VGS = 8 V, ID = 22 A
  • Combinación avanzada de paquete y silicio para rDS(on) bajo y alta eficiencia
FDMS86350 de Fairchild Semiconductor


N.º de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción  
FDMS86350CT-ND FDMS86350 MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Hoja de datos
Disponible en cinta y carrete (-2-ND), cinta cortada (-1-ND) y Digi-Reel® a medida (-6-ND).