Distribuidor EPC

FET eGaN® de 150 V de la serie EPC2018


La conversión de energía eficiente ofrece un FET eGaN® de 150 V y de alto rendimiento de la serie EPC2018


EPC - EPC2018El transisotr de potencia de nitruro de galio de la serie EPC2018 de EPC ofrece conmutación de alta frecuencia para un rendimiento excepcional en aplicaciones de audio de clase D y conversión de alimentación de CC-CC.

El EPC2018 es un dispositivo de 12 A, de 5.76 mm² y 150 VDS con una RDS(on) máxima de 25 miliohmios con 5 V aplicado a la compuerta. Este transistor de potencia GaN ofrece un alto rendimiento debido a su altísima frecuencia de conmutación, RDS(on) extremadamente baja, QG excepcionalmente baja, y en un paquete muy pequeño.

Las aplicaciones que se benefician del rendimiento del FET eGaN incluyen fuentes de alimentación CC-CC de alta velocidad, convertidores de punto de carga, amplificadores de audio clase D, transferencia de potencia inalámbrica, seguimiento de envolvente de RF y circuitos de conmutación duro y de alta frecuencia.

Características Aplicaciones
  • Eficiencia ultra alta
  • Ultra compacto
  • RDS(on) ultrabajo
  • QG ultrabajo
  • Conversión de CC-CC de alta frecuencia
  • Audio de clase D
  • Sistemas de sonar y mapeo de superficie oceánica
  • Cartografía aérea LiDAR

N.º de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción  
917-1034-2-ND EPC2018 TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Hoja de datos
917-1034-1-ND
917-1034-6-ND