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FET eGaN® de 100 V de la serie EPC2016


Efficient Power Conversion ofrece un FET eGaN® de 100 V de la serie EPC2016.


EPC - EPC2016La movilidad del electrón excepcionalmente alta y el coeficiente de temperatura baja de los FET eGaN de EPC permiten un RDS(ON) muy bajo mientras que la mayoría del diodo de portador y la estructura del dispositivo lateral proporcionan QG excepcionalmente bajo y cero QRR.

El EET eGaN EPC2016 es un dispositivo de 3.4 mm² 100 VDS y 11 A con un RDS(ON) máximo de 16 mΩ y QG máximo de 5.2 nC, con 5 V aplicado a la puerta.

En comparación con un MOSFET de potencia de silicio de vanguardia con resistencia en estado encendido similar, EPC2016 es mucho más pequeño y tiene un rendimiento de conmutación superior.

Las aplicaciones que se benefician del rendimiento del FET eGaN incluyen fuentes de alimentación CC-CC de alta velocidad, convertidores de punto de carga, amplificadores de audio clase D, transferencia de potencia inalámbrica, seguimiento de envolvente de RF y circuitos de conmutación duro y de alta frecuencia.

Características Aplicaciones
  • Eficiencia ultra alta
  • Ultra compacto
  • RDS(on) ultrabajo
  • QG ultrabajo
  • Conversión de CC-CC de alta frecuencia
  • Amplificadores de audio de clase D
  • Circuitos de conmutación duro y de alta frecuencia

N.º de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción  
917-1027-2-ND EPC2016 TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Hoja de datos
917-1027-1-ND
917-1027-6-ND