Distribuidor Cypress Semiconductor

Memoria no volátil F-RAM serial


F-RAM serial de Cypress Semiconductor ofrece velocidad de escritura rápida, resistencia prácticamente ilimitada y muy bajo consumo de energía


Memoria no volátil F-RAM serial de Cypress SemiconductorLas memorias F-RAM (RAM ferroeléctrica) seriales de Cypress Semiconductor combinan almacenamiento de datos no volátil con la rápida velocidad de la RAM. F-RAM serial ofrece densidades que van de 4 Kb a 2 Mb, interfaces SPI e I²C y paquetes estándares de la industria. F-RAM serial tiene tres ventajas distintivas sobre las tradicionales memorias no volátiles: rápida velocidad de escritura sin demora de grabado, resistencia prácticamente ilimitada y bajo consumo de energía.

La F-RAM serial ofrece escrituras rápidas a velocidad de interfaz completa. La F-RAM serial no tiene ninguna demora de escritura; los datos son no volátiles instantáneamente. Memoria no volátil tradicional tiene una demora de > 5 ms antes de que los datos se conviertan en no volátiles. Si se interrumpe la alimentación, los datos pendientes se pierde a menos que el sistema tenga capacidad o baterías extras para mantener el sistema encendido hasta que se almacenan los datos.

La F-RAM serial ofrece resistencia prácticamente ilimitada de 1014 ciclos de lectura/escritura. Las memorias no volátiles tradicionales suelen tener menos de 106 resistencia de ciclo, obligando a los diseñadores de sistemas a usar rutinas complejas de nivelación de desgaste y hasta 4 veces más densidad para prolongar la vida útil de estas memorias.

F-RAM serial consume tan solo 300 µA de corriente activa y 6 µA de corriente de espera. Junto con velocidades de escritura rápida, la F-RAM serial permanece activa durante cortos períodos de tiempo, por lo que propicia un consumo de energía muy bajo. Las memorias tradicionales no volátiles con demoras de escritura deben permanecer activas durante períodos prolongados de tiempo, lo que resulta en un mayor consumo energético.

Con cambios menores en el firmware, la F-RAM serial ofrece un reemplazo de EEPROM compatible con la huella y de pin a pin.

Características
  • SPI de hasta 40 MHz e I²C de 3.4 MHz
  • Ninguna demora de escritura
  • No volatilidad instantánea
  • No se requiere capacitor ni batería
  • Resitencia de lectura/escritura de ciclo 1014
  • No requiere nivel de desgaste
  • Tan solo 300 µA de corriente activa y 6 µA de corriente de espera
  • Tolerancia de radiación gamma intrínseca
  • Retención de datos durante 20 años
  • Opciones de voltaje: 3.3 V, 5 V, 2.0 V a 5.5 V (ancho)
  • Grados de temperatura automotriz e industrial
  • Grado 1 y 3 de AEC-Q100 disponibles
Aplicaciones
  • Medición
  • Automatización industrial e informática
  • Electrónica y sensores automotrices
  • Dispositivos de punto de venta
  • Dispositivos médicos portátiles
  • Impresoras multifunción
  • Controladores lógicos programables
  • Sistemas de prueba y medición

N.º de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción  
428-3209-ND FM25L04B-G IC FRAM 4KBIT 20MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3190-ND FM24C04B-G IC FRAM 4KBIT 1MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3201-ND FM25040B-GA IC FRAM 4KBIT 14MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3310-1-ND FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT 1MHZ SRL 8SOIC Hoja de datos
428-3205-ND FM25C160B-GA IC FRAM 16KBIT 15MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3203-ND FM25640B-GA IC FRAM 64KBIT 4MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3193-ND FM24CL64B-GA IC FRAM 64KBIT 1MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3211-ND FM25V01-G IC FRAM 128KBIT 40MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3194-ND FM24V01-G IC FRAM 128KBIT 3.4MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3212-ND FM25V02-G IC FRAM 256KBIT 40MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3195-ND FM24V02-G IC FRAM 256KBIT 3.4MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3213-ND FM25V05-G IC FRAM 512KBIT 40MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3196-ND FM24V05-G IC FRAM 512KBIT 3.4MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3215-ND FM25VN10-G IC FRAM 1MBIT 40MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3198-ND FM24VN10-G IC FRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC Hoja de datos
428-3208-ND FM25H20-G IC FRAM 2MBIT 40MHZ 8SOIC Hoja de datos