Distribuidor Adesto Technologies

Serie DataFlash®E


La serie DataFlash E de Adesto Technologies ofrece menores requerimientos de energía y funciones inteligentes para obtener una mayor eficiencia del sistema y disminuir los costos del sistema.


La serie DataFlahs "E" de Serie DataFlash E de Adesto TechnologiesAdesto Technologies es una nueva familia de dispositivos de memoria no volátil con menores requerimientos de energía y funciones inteligentes para lograr una mayor eficiencia del sistema y disminuir los costos del sistema. La serie DataFlash E ofrece una gama de características y opciones que incluyen capacidades líderes de la industria tales como un amplio voltaje de Vcc y un modo "ultra deep power down" (consumo ultra bajo) Los productos de la serie E incluyen también nuevas características "inteligentes" para mejorar el rendimiento del sistema como "escritura de byte" eficiente que no requiere un gran borrado de bloque y un comando "erase-program-suspend-resume" (borrar programa, suspender reinicio) de estándar industrial.

Byte-write: Verdadera funcionalidad Serail E2 en un dispositivo Flash serial
Con los dispositivos de la serie E de Adesto, los programadores activan un solo comando de software para borrar/escribir un solo byte. Esto difiere de los productos estándares de Flash serial que requieren un borrado de bloque de 4 Kb. Eso significa que menos gestión de memoria se requiere desde el controlador de host, liberándolo para operaciones de prioridad más altas. Menos gestión de memoria también significa una menor huella de software en la SRAM del controlador, proporcionando al diseñador la flexibilidad para utilizar un microcontrolador más pequeño o prescindir de una SRAM externa.

Consumo ultra bajo:
La serie E ofrece ahorro máximo de energía, mediante una instrucción de software simple para un consumo ultrabajo. El modo de bajo consumo de la serie E se mide en nano-amperios, un orden de magnitud mejor que otros productos de la competencia. El control del software de consumo bajo permite al diseñador eliminar los componentes de hardware adicionales tales como reguladores de voltaje (LDO) de derivación baja o transistores.

Funcionamiento extendido de Vcc:
Para dispositivos móviles o a batería, los productos de la serie DataFlash E pueden ejecutar sin regulación para maximizar la duración de la batería de 1.65 V a 3.6 V de manera interrumpida. En una comparación de piezas estándares de Vcc, el rango de tensión prolongada puede maximizar la duración de la batería hasta un 1.000 por ciento mientras que elimina el costo de los reguladores de voltaje (LDO) de baja caída.

Lectura de bajo consumo:
Para aplicaciones que se ejecutan a partir de MCU/CPU más pequeños, más lentos y no operan en rangos altos MHz, DataFlash ahora es compatible con un comando de lectura de bajo consumo que puede aumentar el ahorro energético por típicamente 20% más en frecuencias de reloj debajo de 10 MHz en comparación con las opciones de comando de lectura estándar.

La familia de la serie E incluye una variedad de densidades, ideal para una grabadora de voz, imagen, código de programa, almacenamiento de datos y otras aplicaciones de memoria.
Características principales
  • Densidades de 1 Mbit a 64 Mbit
  • Arquitectura pequeña del array de página
  • Funcionamiento Vcc extendido, continua 1.65 V 3.6 V y 2.3 V a 3.6 V
  • Operación de borrar-modificar-escribir de byte con comando único, de flash serial y primera en la industria
  • Páginas que pueden borrarse de forma individual de 256/264 o 512/528 bytes cada uno
  • Búferes SRAM dobles, independientes y en chip
  • El tamaño del búfer SRAM es igual al tamaño de la página de la memoria Flash
  • Instrucciones ricas en comados establecidas para sobrecarga de CPU reducida
 
  • Operaciones de lectura de bajo consumo mejorada
  • Opciones de apagado con consumo cero: < 500nA en modos en espera
  • Capacidad de reinicio del software
  • Comando borrar-programar-suspender-reanudar para operaciones de lectura/escritura concurrentes
  • 104 MHz, 85 MHz de SPI, Soporte de E/S doble y cuádruple
  • Protección del sector individual y bloqueo del sector "OTP"
  • Registro de seguridad OTP de 128 bytes
  • 100,000 ciclos por página como mínimo
  • Id. del dispositivo y fabricante JEDEC como estándar
N.º de pieza de Digi-Key N.º de pieza del fabricante Descripción
AT45DB021E-SSHNHA-TCT-ND AT45DB021E-SSHNHA-T IC DATAFLASH 2MBIT 70MHZ 8SOIC Hoja de datos

Hoja de datos
AT45DB021E-SHNHC-TCT-ND AT45DB021E-SHNHC-T IC DATAFLASH 2MBIT 70MHZ 8SOIC
AT45DB021E-SHNHA-TCT-ND AT45DB021E-SHNHA-T IC DATAFLASH 2MBIT 70MHZ 8SOIC
AT45DB021E-SHN-TCT-ND SHN-AT45DB021E-T IC DATAFLASH 2MBIT 70MHZ 8SOIC
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AT45DB041E-SSHN2B-TCT-ND AT45DB041E-SSHN2B-T IC DATAFLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC Hoja de datos

Hoja de datos
AT45DB041E-SSHN-TCT-ND AT45DB041E-SSHN-T IC DATAFLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
AT45DB041E-SHN-TCT-ND SHN-AT45DB041E-T IC DATAFLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
AT45DB041E-SHN2B-TCT-ND AT45DB041E-SHN2B-T IC DATAFLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
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1265-1085-1-ND AT45DB081E-SSHN-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC Hoja de datos
1265-1086-1-ND AT45DB081E-SSHN2B-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC
1265-1087-1-ND AT45DB081E-SHN-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC
1265-1089-1-ND AT45DB081E-SHNHA-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC
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1265-1035-1-ND AT45DB161E-SHD-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC Hoja de datos

Hoja de datos
1265-1034-1-ND AT45DB161E-SSHD-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC
1265-1041-1-ND AT45DB161E-SSHF2B-T IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8SOIC
1265-1046-ND AT45DB161E-MHF-Y IC FLASH 16MBIT 85MHZ 8UDFN
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1265-1098-1-ND AT45DB321E-SHF2B-T IC DATAFLASH 32MB 85MHZ 8SOIC Hoja de datos
1265-1095-1-ND AT45DB321E-MHF-T IC DATAFLASH 32MB 85MHZ 8UDFN
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