Transistores de potencia de RF LDMOS


La familia XR de NXP ofrece estabilidad y rendimiento sólido insuperable bajo las condiciones de desajuste de carga más severas.

Diseñado para los entornos más difíciles de la ingeniería, los transistores de potencia de RF de LDMOS XR de 50 V de NXP proporcionan robustez insuperable en condiciones reales. Ofrecen mayores potencias de salida y diseño interno simplificado y a su vez permiten un costo del sistema inferior y eliminan el uso de sustancias peligrosas. La cartera XR ofrece una solución del siglo XXI que también sustituye a los dispositivos tradicionales basados en VDMOS. Haciendo honor a su nombre de "extremadamente resistente", la familia XR ofrece estabilidad y un rendimiento sólido insuperable bajo las condiciones de desajuste de carga más severa. Esto es ideal para aplicaciones de energía RF inteligentes, profesionales y demandantes (kW) (encender plasmas y láseres, sincrotrones y MRI) en las bandas de frecuencia ISM. También da un poder real y aumenta la eficiencia a la radiodifusión terrestre. Ofreciendo las soluciones de mayor eficacia en transmisores de radio FM (habilitados por un diodo ESD a doble cara), los dispositivos XR también proporcionan funcionamiento lineal corregible superior y características de la distorsión previa para Radio Digital IBOC, VHF-TV y otras aplicaciones lineales. Con un rendimiento inigualable, familia XR de NXP ayuda a su diseño futuro de RF.

Video de Sparky vs LDMOS extremadamente robusto           Soporte del diseño y modelos BLF184XR(S)            Soporte del diseño y modelos BLF188XR(S)

Folleto de los transistores de potencia RF LDMOS de 50 V BLF18xXR(S)             Descargar Hoja informativa

Características Aplicaciones
  • Entrega de alta potencia extremadamente resistente de hasta 1400 W
  • Excelente estabilidad en condiciones de grave desajuste
  • Compacto y fácil de fabricar debido a la estructura de acople todo-planar
  • La operación mejorada de Clase C debido a la nueva estructura de diodo ESD de doble cara con mayor rango de voltaje negativo
  • Menor costo del sistema
  • Reemplaza VDMOS y elimina sustancias peligrosas
  • Sistemas de radiodifusión terrestre
    • Transmisores FM
    • Radio digital IBOC
    • TV VHF
  • Aplicaciones de ISM
    • Encendiendo los láseres y plasmas
    • Sincrotrones
    • Imágenes de resonancia magnética

Transistores de potencia de RF LDMOS

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
BLF188XRU IC TRANS LDMOS 1400W SOT539A 0
BLF188XRSU IC TRANS LDMOS 1400W SOT539B 0
BLF184XR IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A 0