MOSFET PowerTrench® FDMC86570L con compuerta blindada, de 60 V y de canal N


FDMC86570L de Fairchild mantiene un rendimiento de conmutación superior.

Este MOSFET de canal N se produce mediante el proceso PowerTrench® de avanzada de Fairchild Semiconductor que incorpora la tecnología Shielded Gate. Este proceso ha sido optimizado para la resistencia en el estado encendido y aún mantiene un rendimiento de conmutación superior.

Características

  • Tecnología de MOSFET Shielded Gate
  • Máx RRDS(on) = 4.3 mΩ vGS = 10 V, LD = 18 A
  • Máx RDS (on) = 6.5 mΩ vGS = 4.5 V, LD = 15 A
  • Tecnología de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente bajo
  • La terminación es sin plomo
  • Cumplen con la directiva RoHS

MOSFET de canal N de 60 V

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
FDMC86570L MOSFET N-CH 60V 56A POWER33 860