Diodo con protección contra ESD


Los diodos de protección ESD de Toshiba ofrecen un pequeño paquete con ultra baja capacitancia y resistencia dinámica.

DF4D7M2G, DF6D7M1N y DF10G7M1N de Toshiba son soluciones de paquete pequeño que protegen varios bits de datos al mismo tiempo, tomando tan solo 0.3mm² del espacio de montaje para cada bit de protección. Estas matrices ofrecen mejor densidad de protección en comparación con tener varias protecciones de 1 bit en el paquete 0402. DF2B7M3SC es un dispositivo con capacitancia increíblemente baja para proteger la línea de señal más sensible (tales como antenas y > 10 GBps). A pesar del factor de forma pequeño y baja capacitancia, estos diodos de protección ESD pueden manejar hasta ±8 kV(contacto), ±15 kV(aire) de sobretensión ESD basado en 2-4 pruebas IEC61000 y tienen una resistencia de baja dinámica por debajo de 1.4 Ω para asegurar que su sistema está bien protegido.

Características Aplicaciones
  • Ahorra espacio en la placa mediante el uso de paquetes pequeños de BGA y DFN de 0.79 x 0.79 mm
  • Proceso de arreglo de diodo de baja capacitancia para la protección de línea de datos de alta velocidad
  • Calificaciones de prueba de inmunidad contra descargas electrostáticas basadas en IEC61000-4-2
  • Reduce el voltaje de supresión y el impacto del golpe de ESD en un circuito protegido
  • Teléfonos móviles
  • Tabletas
  • Reproductores de audio portátiles
  • DSC y DVC


Producto
Nombre
No. de bits ct
(typ)
VRWM
(Máx.)
VBR
(Mín.)
Voltaje de sujeción
(typ)
RDYN Paquete Dimensiones
DF2B7M3SC 1 bit 0.1 pF 5.0 V 6.0 V 13.5 V 1.4 Ω SC2 0.62 * 0.32* 0.3z mm
DF4D7M2G 2 bits 0.2 pF 5.0 V 6.0 V 13 V 0.8 Ω WCSP4 0.79 * 0.79 * 0.5z mm
DF6D7M1N 2 bits 0.3 pF 5.0 V 6.0 V 12 V 0.9 Ω DFN6 1.0 * 1.25 * 0.5z mm
DF10G7M1N 4 bits 0.3 pF 5.0 V 6.0 V 13 V 0.8 Ω DFN10 1.0 * 2.5 * 0.5z mm


ESD Protection

Diodo con protección contra ESD

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
DF10G7M1N,LF TVS DIODE 5VWM 12VC 10DFN 8755