Placa de desarrollo EPC9013 para EPC2001


La placa de desarrollo EPC9013 para EPC2001 de EPC está optimizada para aplicaciones de alta corriente.

La placa de desarrollo EPC9013 cuenta con el transistor de efecto de campo (FET) (eGaN®) con modo de mejora EPC2001 de 100 V que funciona con una corriente de salida máxima de 35 A con corriente de salida máxima con cuatro puentes medios en paralelo y un controlador de compuerta único e integrado. El objetivo de esta placa de desarrollo es simplificar el proceso de evaluación de FET eGaN® EPC2001 para el funcionamiento con corriente alta al incluir todos los componentes críticos en una sola placa que se puede conectar a un conversor existente.

La placa de desarrollo EPC9013 es de 2 "x 2" y cuenta con ocho FET eGaN® EPC2001 utilizando el controlador de compuerta LM5113 de Texas Instruments. La configuración de la placa de desarrollo se recomienda para aplicaciones de alta corriente. La tabla contiene todos los componentes críticos y la placa de circuito impreso (placa de CI) está diseñada para un rendimiento óptimo de conmutación. También hay varios puntos de sondeo para facilitar la medición simple de forma de onda y evaluar la eficiencia de FET eGaN.

Características EPC2001
  • Eficiencia ultra alta
  • VVDS(on) ultrabajo
  • QG ultra bajo
  • Ultra compacto
Aplicaciones EPC2001
  • Conversión CC-CC de alta velocidad
  • Audio de clase D
  • Circuitos de alta frecuencia y conmutados

eGaN FET Reliability Paralleling eGaN® FETs Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview

Placa de desarrollo EPC9013 para EPC2001

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
EPC2001 TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 7500
EPC9013 BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN 63