Transistor de radar de banda X serie CGHV96050F2


Cree ofrece sus transistores HEMT de nitruro de galio con entrada y salida igualadas, de 50 W, 7.9 – 9.6 GHz y 50 ohmios para sistemas de radar de banda X

La serie CGHV96050F2 de Cree es un Transistor HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones) de nitruro de galio (GaN) sobre sustratos de carburo de silicio (SiC). Este FET internamente igualado (IM) de nitruro de galio (GaN) ofrece una excelente eficiencia de potencia añadida en comparación con otras tecnologías. El nitruro de galio (GaN) tiene características superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluyendo mayor voltaje de avalancha, velocidad de deriva de electrones saturados y conductividad térmica. Los  transistores HEMT de GaN también ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con los transistores de arseniuro de galio (GaAs). Este FET IM está disponible en un paquete con bridas de metal y cerámica para óptimo rendimiento eléctrico y térmico.

Características
  • Funcionamiento de 8.4 a 9.6 GHz
  • 80 W POUT típico
  • Ganancia de energía de 10 dB
  • PAE típico 55%
  • 50 ohmios igualados internamente
  • < 0.1 dB de caída de potencia

Transistor de radar de banda X serie CGHV96050F2

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
CGHV96050F2 FET RF GAN HEMT 50W 216