Transistor de radar de banda S serie CGHV35400F


Cree ofrece sus transistores HEMT de nitruro de galio de 400 W, 2.9 – 3.5 GHz y 50 V para sistemas de radar de banda S

La serie CGHV35400F de Cree consiste en un Transistor HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones) de Nitruro de galio (GaN) diseñado específicamente con alta eficiencia, alta ganancia y amplias capacidades de ancho de banda, que hace a la serie CGHV35400F ideal para aplicaciones de amplificador de radar de banda S de 2.9 - 3.5 GHz. El transistor se suministra en un paquete de brida de cerámica y metal, tipo 440210.

Características
  • Funcionamiento de 2.9 a 3.5 GHz
  • 400 W de potencia de salida típica
  • Ganancia de energía de 10.5 dB
  • Eficiencia de drenaje típica de 60%
  • 50 ohmios igualados internamente
  • < 0.3 dB de caída de amplitud pulsada

Transistor de radar de banda S serie CGHV35400F

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
CGHV35400F FET RF GAN HEMT 400W 24
CGHV35400F-TB TEST FIXTURE FOR CGHV35400F 2