Transistor de radar de banda S serie CGHV35150F


Cree ofrece sus transistores HEMT de Nitruro de galio de 150 W, 2.9 – 3.5 GHz y 50 V para sistemas de radar de banda S

La serie CGHV35150 de Cree consiste en un Transistor HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones) de Nitruro de galio (GaN) diseñado específicamente con alta eficiencia, alta ganancia y amplias capacidades de ancho de banda, que hace a la serie CGHV35150 ideal para aplicaciones de amplificador de radar de banda S de 2.9 - 3.5 GHz. El transistor se suministra en un paquete de brida y cápsula de cerámica y metal.

Características
  • Potencia nominal = 150 W a TCASE = 85° C
  • Frecuencia de funcionamiento = 2.9 - 3.5 GHz
  • Transitorios en 100 µs - 300 µs al 20%
  • Ganancia de potencia de 13.5 dB en TCASE = 85° C
  • Eficiencia de drenaje típica de 50% en TCASE
  • Entrada compatible
  • < 0.3 dB de caída de amplitud pulsada

Transistor de banda S serie CGHV35150F

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
CGHV35150-TB TEST FIXTURE FOR CGHV35150F 3
CGHV35150F FET RF GAN HEMT 150W 26