MOSFET AOS de drenaje común


Alfa y Omega Semiconductors ofrecen sus MOSFET duales AON6810, AON6812 y AOC4810

Alfa y Omega ofrecen la familia de MOSFET duales en la configuración de drenaje común en paquetes DFN 5 x 6 y Micro-DFN 3.2 x 2. Estos dispositivos son aptos para aplicaciones de paquete de batería donde dos MOSFET de canal N están conectados consecutivamente para carga y descarga seguras, y protección del voltaje. Los productos proporcionan Rss(resistencia fuente-fuente) ultrabaja inferior a 10 mΩ en el controlador de compuerta de 10 V. Los dispositivos AON6810, AON6812 y AOC4810 proporcionan soluciones ideales para mejorar el rendimiento del paquete de batería en la última generación de Ultrabooks y tabletas, donde la baja pérdida de conducción es imprescindible para optimizar la duración de la batería.

Los dispositivos AON6810, AON6812 y AOC4810 utilizan tecnología AlphaMOS para alcanzar una RDS(ON) muy baja además de una protección EDS de 4 kV para aumentar la seguridad del paquete de batería. Los dispositivos AON6810 y AON6812 utilizan un paquete DFN 5 x 6 de base expuesta para ofrecer capacidad térmica mejorada. El AON6812 cuenta con una resistencia baja de 8 mΩ de total máximo de Rss en impulsión de V 10. Clasificado con un voltaje de avalancha de V 30, tiene capacidad de carga y descarga de una batería de ordenador portátil con la menor cantidad de disipación de calor y pérdida de energía. El AON6810 proporciona un nivel adicional de protección mediante un diodo de detección de temperatura interna que proporciona información térmica de primera mano al CI de control de la batería. Mediante el uso de clavijas de detección de temperatura del AON6810, los diseñadores pueden controlar con precisión la condición térmica de los MOSFET en tiempo real para evitar cualquier sobrecalentamiento anormal.

Para satisfacer la demanda de los paquetes de baterías ultra delgadas, el AOC4810 aprovecha el innovador paquete Miro-DFN de AOS, el cual cuenta con un perfil ultra bajo de solo 0.4 mm. A diferencia de los CSP (embalaje a escala chip) convencionales, el Micro-DFN elimina el riesgo de los chip de molde al encapsular el silicio para proporcionar protección completa al molde además de proporcionar excelente aislamiento contra la humedad. Cuando el spacio en placa es una preocupación fundamental, el AOC4810 ofrece una excelente opción para aumentar la densidad de energía. Con dimensiones de sólo 3.2 mm x 2 mm, el AOC4810 ofrece un nivel de RSSmáximo de 8.8 mΩ para minimizar la disipación de calor y pérdida de conducción.

Características y beneficios
  • Tecnología Trench Power AlphaMOS (αMOS LV)
  • RDS(on) muy baja, a 4.5 VGS
  • Baja carga de compuerta
  • Protección contra descargas electrostáticas
  • Cumple con la directiva RoHS y no contiene halógeno
  • Drenaje común

AON6810

  • Diodo integrado para detección de temperatura

MOSFET de drenaje común de alto rendimiento

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
AOC4810 MOSFET 2N-CH 8-DFN 2990
AON6810 MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN 2865
AON6812 MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN 2585