Placas de desarrollo EPC 9016 y 9017


Placas de desarrolloo de EPC optimizadas para aplicaciones de alta corriente y ciclo de trabajo bajo

Las placas de desarrollo de EPC tienen configuraciones de medio puente y contienen un solo dispositivo de lado superior y dos dispositivos inferiores paralelos. Estas placas se recomiendan para aplicaciones de ciclo de trabajo inferior y alta corriente, como convertidores de punto de carga e infraestructura de telecomunicaciones no aisladas.

La placa de desarrollo EPC9016 es un voltaje de dispositivo máximo de 40 V, medio puente de corriente de salida máxima de 25 A con controladores de compuerta integrada, como un transistor de efecto de campo (FET) con modo mejorado EPC2015 (eGaN).

La placa de desarrollo EPC9017 es un voltaje de dispositivo máximo de 100 V, medio puente de corriente de salida máxima de 20 A con controladores de compuerta integrada, como un transistor de efecto de campo (FET) con modo mejorado EPC2001 (eGaN).


Drivng eGaN™ Power Transistors eGan® FET's Characteristics eGaN™ Basics
Características
  • Simplifica el proceso de evaluación
  • Se conecta fácilmente a cualquier diseño existente de convertidor.
  • Contiene todos los componentes críticos y disposición para un rendimiento conmutado óptimo
  • Todas las conexiones a las placas de desarrollo no son críticas y pueden soportar inductancia parásita.

Placas de desarrollo

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
EPC9017 BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN 42
EPC9016 BOARD DEV FOR EPC2015 40V EGAN 55