MOSFET de potencia de canal N doble de 20 V


El MOSFET de potencia de Vishay Siliconix ofrece un RDS(ON) bajo en un área de huella de 2 x 2 mm.

Vishay presenta un nuevo MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N doble en el paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado y ultracompacto. Diseñado para ahorrar espacio y aumentar la eficiencia de energía en electrónicos portátiles, los MOSFET SiA936EDJ de Vishay Siliconix ofrecen la resistencia en estado encendido más baja de la industria para dispositivos de 20 V (VGS de 12 V y VGS de 8 V) en controladores de compuerta de 4.5 V y 2.5 V en un área de la huella de 2 x 2 mm. Para dispositivos ultraportátiles e informática móvil, electrónica de consumo y productos médicos portátiles, el SiA936EDJ combina resistencia en estado encendido extremadamente baja con protección ESD integrada de 2000 V en un dispositivo compacto. Su resistencia en estado encendido a 2.5 V es 11,7% inferior a los dispositivos de la competencia VGS de 8 V más cercanos, proporcionando una banda con mayor protección y 15,1% menos que los competidores más cercanos del dispositivo con un VGS de 12 V. Estos valores de resitencia en estado encendido bajos permiten a los diseñadores alcanzar menos caídas de voltaje en los circuitos y promover un uso más eficiente de la alimentación y tiempos más prolongados del funcionamiento de la batería. Además, al integrar dos MOSFET en un paquete compacto, el SiA936EDJ dual simplifica diseños, disminuye el recuento total de componentes y ahorra espacio crítico en la placa CI.


Características
  • Baja resistencia en estado encendido de 34 mΩ (4.5 V), 37 mΩ (3.7 V) y 45 mΩ (2.5 V)
    • Promueve un uso más eficiente de la alimentación y tiempos más prolongados de ejecución de la batería
    • Reduce la caída de voltaje en corriente de carga máxima para evitar falsas alarmas del bloqueo por subvoltaje
  • Protección ESD incorporada de 2000 V
  • Integra dos MOSFET en un paquete compacto y PowerPAK SC-70 para ahorrar espacio de la placa CI.
  • Paquete térmicamente mejorado en un espacio reducido de 2.05 x 2.05 m²
  • 100 % Rg probado
  • Sin halógeno conforme a la definición de JEDEC JS709A
  • Cumple con la directiva RoHS 2011/65/EU
Aplicaciones
  • Interruptores de carga y cargador
  • Convertidores CC/CC
  • Puentes H
  • Protección de la batería para administración de energía en los teléfonos inteligentes
  • Tabletas
  • Dispositivos de computación móviles
  • Productos sanitarios portátiles non-implantables
  • Electrónica de consumo portátil con motores pequeños de corriente continua sin escobillas

MOSFET de potencia de canal N doble de 20 V

Número de pieza del fabricante Descripción Cantidad disponible Especificaciones técnicas
SIA936EDJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70 0