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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP85N10-10-E3-ND
Cantidad disponible 302
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP85N10-10-E3

Descripción MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP/SUB85N10-10
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6550 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.5 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP85N10-10-E3CT
SUP85N10-10-E3CT-ND
SUP85N1010E3

22:23:41 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.62000 6.62
10 5.94800 59.48
25 5.62280 140.57
100 4.87310 487.31
250 4.62316 1,155.79
500 4.14834 2,074.17
1,000 3.49860 3,498.60

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