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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP85N10-10-E3-ND
Cantidad disponible 304
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP85N10-10-E3

Descripción MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP/SUB85N10-10
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6550 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.5 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP85N10-10-E3CT
SUP85N10-10-E3CT-ND
SUP85N1010E3

14:31:53 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.31000 6.31
10 5.66400 56.64
25 5.35520 133.88
100 4.64100 464.10
250 4.40300 1,100.75
500 3.95080 1,975.40
1,000 3.33200 3,332.00
2,500 3.16540 7,913.50

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