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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP70040E-GE3-ND
Cantidad disponible 819
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP70040E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP70040E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

21:53:15 2/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.92000 2.92
10 2.61800 26.18
25 2.47520 61.88
100 2.14500 214.50
250 2.03500 508.75
500 1.82600 913.00
1,000 1.54000 1,540.00
2,500 1.46300 3,657.50
5,000 1.40800 7,040.00

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