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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP60030E-GE3-ND
Cantidad disponible 2,901
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP60030E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 80V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP60030E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 141 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7910 pF a 40 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000

00:22:37 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.75000 2.75
10 2.47400 24.74
25 2.33880 58.47
100 2.02700 202.70
250 1.92308 480.77
500 1.72558 862.79
1,000 1.45530 1,455.30
2,500 1.38254 3,456.34
5,000 1.33056 6,652.80

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