Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP60030E-GE3-ND
Cantidad disponible 2,906
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP60030E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP60030E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 141 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7910 pF a 40 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000

18:34:54 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.75000 2.75
10 2.47400 24.74
25 2.33880 58.47
100 2.02700 202.70
250 1.92308 480.77
500 1.72558 862.79
1,000 1.45530 1,455.30
2,500 1.38254 3,456.34
5,000 1.33056 6,652.80

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario