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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP57N20-33-E3-ND
Cantidad disponible 472
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP57N20-33-E3

Descripción MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP57N20-33
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 57 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP57N2033E3

06:37:32 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.67000 4.67
10 4.19800 41.98
25 3.96920 99.23
100 3.43980 343.98
250 3.26340 815.85
500 2.92824 1,464.12
1,000 2.46960 2,469.60

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