Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP57N20-33-E3-ND
Cantidad disponible 611
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP57N20-33-E3

Descripción MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP57N20-33
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 57 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP57N2033E3

11:49:53 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.45000 4.45
10 3.99800 39.98
25 3.78000 94.50
100 3.27600 327.60
250 3.10800 777.00
500 2.78880 1,394.40
1,000 2.35200 2,352.00
2,500 2.23440 5,586.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario