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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP50020EL-GE3-ND
Cantidad disponible 720
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP50020EL-GE3

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SUP50020EL
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 126 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11113 pF a 30 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

19:26:09 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.79000 2.79
10 2.50600 25.06
25 2.36920 59.23
100 2.05340 205.34
250 1.94804 487.01
500 1.74798 873.99
1,000 1.47420 1,474.20
2,500 1.40049 3,501.23
5,000 1.34784 6,739.20

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