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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHU6N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 3,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHU6N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHU6N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
IRFU/SIH 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 820 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 78 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores largos, IPak, TO-251AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000

06:26:48 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.70000 1.70
10 1.53000 15.30
25 1.44360 36.09
100 1.23010 123.01
250 1.15500 288.75
500 1.01062 505.31
1,000 0.83738 837.38
2,500 0.77962 1,949.06
5,000 0.75075 3,753.75

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