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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP33N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 940
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP33N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHP33N60EF-GE3
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 155 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3454 pF a 100 V
Potencia máxima 278 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

07:21:55 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.07000 6.07
10 5.48300 54.83
25 5.22760 130.69
100 4.53900 453.90
250 4.33500 1,083.75
500 3.95250 1,976.25
1,000 3.44250 3,442.50
2,500 3.31500 8,287.50

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