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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP25N50E-GE3-ND
Cantidad disponible 792
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP25N50E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Packaging Information
SIHP25N50E-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1980 pF a 100 V
Potencia máxima 250 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

03:24:51 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.06000 3.06
10 2.74400 27.44
25 2.59440 64.86
100 2.24840 224.84
250 2.13304 533.26
500 1.91398 956.99
1,000 1.61420 1,614.20
2,500 1.53349 3,833.73
5,000 1.47584 7,379.20

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