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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP22N60E-E3-ND
Cantidad disponible 994
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP22N60E-E3

Descripción MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHP22N60E
Packaging Information
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP22N60EE3

06:47:18 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.84000 3.84
10 3.45100 34.51
25 3.26240 81.56
100 2.82750 282.75
250 2.68252 670.63
500 2.40700 1,203.50
1,000 2.03000 2,030.00
2,500 1.92850 4,821.25
5,000 1.85600 9,280.00

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