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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP21N65EF-GE3-ND
Cantidad disponible 1,040
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP21N65EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Packaging Information
SIHP21N65EF
SIHB21N65EF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 650 V Fast Body Diode MOSFETs
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

06:08:30 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.44000 4.44
10 3.98400 39.84
25 3.76640 94.16
100 3.26430 326.43
250 3.09692 774.23
500 2.77884 1,389.42
1,000 2.34360 2,343.60
2,500 2.22642 5,566.05

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