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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP21N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 702
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP21N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHP21N60EF
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 600 V EF Series MOSFETs
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 84 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2030 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 176 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

00:18:10 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.00000 4.00
10 3.59100 35.91
25 3.39480 84.87
100 2.94230 294.23
250 2.79136 697.84
500 2.50470 1,252.35
1,000 2.11239 2,112.39

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