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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP15N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 934
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP15N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHP15N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 96 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1640 pF a 100 V
Potencia máxima 34 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP15N65E-GE3CT
SIHP15N65E-GE3CT-ND

14:34:58 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.21000 3.21
10 2.88000 28.80
25 2.72240 68.06
100 2.35950 235.95
250 2.23852 559.63
500 2.00860 1,004.30
1,000 1.69400 1,694.00
2,500 1.60930 4,023.25
5,000 1.54880 7,744.00

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