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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP15N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 923
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP15N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHP15N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Assembly Site Add 13/Jan/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 96 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP15N65E-GE3CT
SIHP15N65E-GE3CT-ND

19:09:00 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.37000 3.37
10 3.02400 30.24
25 2.85880 71.47
100 2.47750 247.75
250 2.35044 587.61
500 2.10904 1,054.52
1,000 1.77870 1,778.70
2,500 1.68976 4,224.41

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