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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP15N60E-E3-ND
Cantidad disponible 585
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP15N60E-E3

Descripción MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 600V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Packaging Information
SiHF15N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Assembly Site Add 13/Jan/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP15N60EE3

01:36:20 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.81000 2.81
10 2.52300 25.23
25 2.38520 59.63
100 2.06700 206.70
250 1.96100 490.25
500 1.75960 879.80
1,000 1.48400 1,484.00
2,500 1.40980 3,524.50
5,000 1.35680 6,784.00

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