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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG73N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 499
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG73N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Descripción ampliada N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG73N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 73 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 362 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7700 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39 mOhm a 36 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60EGE3

14:53:57 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.05000 12.05
10 11.07800 110.78
25 10.61920 265.48
100 9.35620 935.62
250 8.89700 2,224.25
500 8.32300 4,161.50
1,000 7.63420 7,634.20

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