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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG73N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 504
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG73N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG73N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 73 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39 mOhm a 36 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 362 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7700 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor *
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60EGE3

17:25:57 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.05000 12.05
10 11.07800 110.78
25 10.61920 265.48
100 9.35620 935.62
250 8.89700 2,224.25
500 8.32300 4,161.50
1,000 7.63420 7,634.20

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