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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG33N65EF-GE3-ND
Cantidad disponible 509
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG33N65EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 650V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG33N65EF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 650 V Fast Body Diode MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 171 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4026 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 313 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 109 mOhm a 16.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SiHG33N65EF-GE3

17:07:39 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.62000 6.62
10 5.97900 59.79
25 5.70120 142.53
100 4.95020 495.02
250 4.72772 1,181.93
500 4.31056 2,155.28
1,000 3.75435 3,754.35
2,500 3.61530 9,038.25

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