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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG33N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 450
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG33N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG33N60EF-GE3
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 155 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3454 pF a 100 V
Potencia máxima 278 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

09:14:59 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.43000 6.43
10 5.80500 58.05
25 5.53520 138.38
100 4.80600 480.60
250 4.59000 1,147.50
500 4.18500 2,092.50
1,000 3.64500 3,645.00
2,500 3.51000 8,775.00

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