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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG33N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 429
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG33N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG33N60E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508pF a 100V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 16.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SIHG33N60E-GE3CT
SIHG33N60E-GE3CT-ND

03:06:20 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.36000 6.36
10 5.71200 57.12
25 5.40000 135.00
100 4.68000 468.00
250 4.44000 1,110.00
500 3.98400 1,992.00
1,000 3.36000 3,360.00
2,500 3.19200 7,980.00

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