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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG32N50D-GE3-ND
Cantidad disponible 1,322
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHG32N50D-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 500V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SIHG32N50D
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 96 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2550 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 390 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SIHG32N50DGE3

21:53:51 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.02000 5.02
10 4.50500 45.05
25 4.25840 106.46
100 3.69080 369.08
250 3.50148 875.37
500 3.14188 1,570.94
1,000 2.64978 2,649.78
2,500 2.51729 6,293.23

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